/美通社/ -- MaxPower Semiconductor, Inc.(MaxPower)是高性能功率半导体产品供应商,今日宣布,在2021年2月4日的听证会之后, 美国加州北区地区法院驳回了ROHM Semiconductor USA LLC(ROHM USA)对不侵犯MaxPower专利宣告性判决的上诉。  法院认为,MaxPower与ROHM Co.,Ltd.(ROHM Japan; 6963:JPTokyo)的技术许可协议(TLA)对ROHM Japan的子公司(包括ROHM USA)具有约束力,并且该协议还要求ROHM USA仲裁其非侵权主张。

 

“我们感到高兴的是法院批准了我们强制仲裁的动议。我们期待着解决关于ROHM违反我们长期非排他性沟槽MOSFET技术和专利许可的争议。我们有信心在仲裁中胜诉,并且我们打算继续积极保护我们的技术资产和其他知识产权。” MaxPower总裁兼首席执行官Mohamed Darwish博士说。

 

MaxPower的首席顾问Roger Cook表示:“ROHM一直在使用这种不当的宣告性判决程序,以避免仲裁解决涉及ROHM销售碳化硅沟槽MOSFET的技术许可纠纷。值得庆幸的是,现在应着手解决这一纠纷。”

 

关于此案
面对MaxPower主张ROHM Japan违反其在技术许可协议中的义务,2020年9月23日,ROMH USA针对MaxPower提起了诉讼,寻求ROHM的碳化硅(SiC)MOSFET不侵犯MaxPower在美国的四项专利的声明性判决。