随着5G商用落地,工业4.0的持续推进,功率半导体作为碳中和的重要技术受到广泛关注。对比目前的Si功率器件,SiC和GaN等功率半导体具备处理高电压、大电流的能力,且体积更小,耗电量也大幅降低。

 

尽管面临着难以加工的课题,但进入21世纪后,功率半导体相关产品不断面世,各国纷纷展示出空前的重视。

 

根据日本运营知识产权库的Astamuse发布的数据,在2000年至2017年期间,全球37个国家共申请了4.7428万件功率半导体相关技术专利。按国家划分,美国的相关专利达1.3973万件位于第一位,其次是日本的1.2872万件,中国的8403件。

 

从企业专利数量来看,日本的三菱电机排名第一,为1304件,其次是德国英飞凌(983件),瑞萨电子(802件),东芝(456件)。富士电机(409件)排在第六,日立制作所(398件)为第七名。

 

美国公司中,英特尔以423件发明专利位居第五位,韩国的三星SDI则以280件位居第十。

 

日经认为,尽管日本在世界半导体市场上的优势地位已然暗淡,但在功率半导体领域其仍占有一席之地。另外,中国公司虽没能跻身榜单前几名,但观察全球,各国近期的专利申请数的增长势头已经超过了美国,今后有可能会崛起。