RIBER是服务于半导体行业的分子束外延(MBE)设备的全球市场领导者,它宣布向RIBER的长期客户IntelliEPI交付世界上最大的MBE机器-第一个MBE 8000系统。该交货是用于超高性能垂直腔表面发射激光器(VCSEL)应用的Epi晶片制造设备销售协议的一部分。

 


由于基于VCSEL的器件是通过基板表面发射的,因此可以将它们制造成具有高密度发射器阵列的器件。这些组件正逐步取代传统激光器,成为从消费类电子产品到医疗保健,汽车和电信等各个领域的3D检测(智能手机上的面部识别)或运动控制等不断增长的应用领域的基准技术。

 

与其他技术相比,RIBER的MBE技术具有一系列优势。这种产生非常突然的界面的能力与非常精确的剂量控制相结合,可以提高沉积的半导体膜的质量,增强的导电性和更强的激光器性能。为了满足具有更高晶圆均匀性的高性能外延晶圆制造所需的更大生产能力的MBE平台,RIBER开发了新的MBE 8000生产系统。

 

全自动MBE 8000利用超高真空沉积技术。该机器是多晶片反应器,能够同时生长多达八个150毫米的晶片,并提供了过渡到200毫米晶片的可能性。该机器可以生产VCSEL和其他器件结构,并可以精确控制到原子单层精度,并且膜厚均匀性远低于1%的水平,从而产生了无与伦比的输出。

 

对于IntelliEPI,MBE 8000系统将进一步增强其外延能力。除了现有的三台MBE 49,八台MBE 6000,两台MBE 7000,一台V90和一台VG100之外,这一新的MBE 8000生产平台还将使IntelliEPI能够满足其不断增长的VCSEL和其他市场(尤其是针对VCSEL)的需求增长优质的6英寸砷化镓(GaAs)产品可以更好地满足其客户的需求。

 

“此次交付证实了RIBER在MBE市场上的领导地位以及MBE 8000多晶片机的出色功能,该机器的生产量与市场需求相吻合。” 该机器表明,MBE技术是经过完美优化的,并且与替代技术相比具有更多的附加值,特别是在制造复杂半导体结构的操作和输出方面。此外,MBE 8000系统为未来的业务发展提供了强大的前景。” RIBER执行董事会主席Philippe Ley确认。

 

“这个先进的MBE 8000技术平台具有更高的吞吐量和增强的性能,将使IntelliEPI能够更好地应对新兴的高性能市场,例如用于汽车LiDAR的VCSEL,以及用于5G RF的HEMT或HBT一项重要的改进是在更大的反应堆平台上提高了材料均匀性,随着这些MBE 8000反应堆在我们位于美国德克萨斯州的扩建制造工厂中的未来部署,IntelliEPI将能够为客户提供更高价值的产品和服务。 IntelliEPI总裁兼首席执行官高永忠表示。