与非网4月28日讯,据悉,全球最大芯片代工厂商台积电更新了其最新的制程工艺路线图,4纳米工艺芯片将会在2021年底进入“风险生产”阶段,并于2022年实现量产;3纳米芯片预计在2022年下半年投产,而2纳米工艺正在开发当中。

 

2纳米工艺方面,台积电表示由于物理限制将无法使用原有的全栅场效应晶体管(GAAFET)。研发团队目前正全力寻找下一代新材料,新的晶体管技术将在未来许多年里被广泛使用。

 

台积电总裁魏哲家表示:目前市场上先进制程的产品需求旺盛,台积电生产的5纳米芯片拥有优异的表现,如今要求与台积电合作5纳米、3纳米产品的客户越来越多。

 

预估在产能方面,台积电仍然是一枝独秀,没有任何竞争对手威胁台积电的主导地位。台积电重申,它们有信心会令2nm(N2)、3nm(N3)和4nm(N4)工艺按时间推出,并且保持比竞争对手更先进的节点工艺优势。

 

今年年初,台积电把2021年的资本支出预算大幅提高到250亿到280亿美元,而最近更是追加到300亿美元。未来三年台积电计划总共投入1000亿美元实现产能增加和研发投入。


在台积电今年300亿美元的资本预算中,约80%将用于扩大先进技术的产能,如3纳米、4纳米、5纳米、6纳米以及7纳米芯片。今年年底,先进节点上的大部分资金将用于将台积电的5纳米产能扩大到每月11万至12万片晶圆。


魏哲家在最近与分析师和投资者的电话会议上表示:“作为一家领先的晶圆代工企业,台积电在成立30多年的历史中从未缺乏竞争,但我们知道如何竞争。我们将继续专注于提供领先的技术、卓越的制造服务,并赢得客户的信任。其中,赢得客户信任是相当重要的,因为我们没有与客户竞争的内部产品。”