三星(Samsung)日前推出为DDR5 DIMM设计的电源管理IC(PMIC) S2FPD01、S2FPD02及S2FPC01。前一代的DRAM将PMIC放在主板上,新一代DRAM技术则是将PMIC整合到记忆体模组内,可以提高记忆体的可靠度与效能。

 

三星新推DDR5模组PMIC

 

为了强化能源效益及负载暂态变化响应(Transient Response) ,三星开发的DDR5模组PMIC配备高效混合闸极驱动器(High-efficiency Hybrid Gate Driver)及基于非同步Dual-phase Buck控制方案的专用控制设计。此控制方案促使DC电压透过快速变化响应( Fast Transient Response)来输出电压,可以有效将电压调整到接近稳定的状态。同时此方案具有脉衝宽度与频率调变(Pulse Width and Pulse Frequency Modulation)的功能,可避免切换模式时延迟或故障。

 

三星系统半导体部门行销副总Harry Cho表示,此次推出的PMIC S2FPD01、S2FPD02及S2FPC01,提升了能源效益并降低涟波电压(Ripple Voltage),应用在资料中心、企业级伺服器和PC应用中,可协助设备受益于DDR5带来的高效能,以满足高度需要密集记忆体的需求。

 

S2FPD01与S2FPD02两个DDR5 DIMM PMIC解决方案提供良好的效能,即时满足资料中心及企业级伺服器分析大量资料、机器学习/深度学习或其他运算需求。FPD01专为低密度的模组设计,FPD02则适用于记忆体密度高的模组。

 

此外,新推出的PMIC除了用高效混合闸极驱动器取代线性稳定性(Linear Regulator),还可以提升91%的能源使用效率。另一款PMIC S2FPC01专为桌机跟笔电设计,採用90nm製程,达到封装更小与效能更灵敏的目的。目前三星已提供客户S2FPD01、S2FPD02及S2FPC01三款DDR5 DIMM PMIC的样品给客户。