与非网6月11日讯 国际欧亚科学院中国科学中心第二十三次院士大会在京召开,50位中国学者增选为国际欧亚科学院院士正式候选人,2021年5月底,正式批复为国际欧亚科学院院士。中国科学家当选人数再创新高。

 

经国际欧亚科学院中国科学中心院士大会选举推荐、国际欧亚科学院主席团审议,6月8日,国际欧亚科学院中国科学中心官网正式公布,五十位中国学者当选国际欧亚科学院院士,其中包括清华大学集成电路学院魏少军教授、中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家朱慧珑。

 

据清华大学集成电路学院介绍,魏少军教授致力于超大规模集成电路设计方法学研究,主要研究领域包括:超大规模集成电路设计方法学研究,数字系统高层次综合技术研究,嵌入式系统设计技术研究和可重构计算芯片技术研究。

 

魏少军教授在上述领域发表论文300多篇,拥有130多项中国和美国发明专利,出版专著6册,参与多部著作编写。是ACM/TODAES和《电子学报》(英文版)编委,ASPDAC、A-SSCC等多个著名国际会议的执委会成员和TPC成员,数十次应邀在国际著名大公司和国际会议上做特邀报告。

 

魏少军教授是国际欧亚科学院院士,微电子学与固体电子学专家,清华大学集成电路学院教授,中国电子学会会士,国际电气和电子工程师学会会士(IEEE Fellow);国家集成电路产业发展咨询委员会委员;核高基国家科技重大专项技术总师;中国半导体行业协会副理事长,集成电路设计分会理事长;世界半导体理事会中国JSTC主席。

 

据悉,魏少军教授先后获国家科技进步二等奖和国家技术发明二等奖各1项,省部级科学技术一等奖7项,中国科协“求是”杰出青年奖,EETimes中国IC设计成就奖,ASPENCORE全球电子成就奖,国际半导体产业协会(SEMI)突出贡献奖,IEEE产业先驱奖等奖项。

 

据中国科学院大学网站介绍,朱慧珑博士致力于超大规模集成电路的研究,现担任“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”课题首席专家,该项目属国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”。

 

朱慧珑博士是国际欧亚科学院院士,微电子所学位委员会副主任、微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家。1990-2009年,先后在美国阿贡国家实验室、伊利诺伊大学、DEC、Intel和IBM等任职。

 

朱慧珑博士提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等; · 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。

 

朱慧珑博士曾是IBM全公司2007年度4名引领发明家(Leading Inventor)之一;IBM半导体研究和开发中心2008年度的发明大师(Master Inventor);获IBM优秀专利奖两次和IBM公司发明成就奖51次。

 

2009年回国,担任国家重大专项02专项“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”和“16-14纳米基础技术研究”项目首席专家,在国内首次完成了原型器件的研发并建立了较系统的高质量专利组合。获已授权美国发明专利170件,获已授权中国发明专利和已授理中国发明专利申请130多件。

 

目前,国际欧亚科学院院士里,中国科学家有256人。其中,1996~2009年产生123人;2010~2020年国际欧亚科学院中国院士大会,选举并产生来自中国的国际欧亚科学院院士133人。

 

国际欧亚科学院成立于1994年,拥有来自46个国家的600余名院士、通讯院士和荣誉委员。国际欧亚科学院总部设在莫斯科,分别在欧洲(法国)、欧亚(俄罗斯)和亚太地区(中国)建立区域中心,并在15个国家建立了国家科学中心。国际欧亚科学院中国科学中心是15个国家科学中心中人数第二位的中心,于1996年由中国科学院申报并经国家科委批准成立。