瞄准碳化硅领域，深圳哈勃投资天域半导体

近日，东莞市天域半导体科技有限公司（以下简称“天域半导体”）工商信息发生变更，其中，注册资本从9027.0589万元增至9770.4638万元，同时新增深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）（以下简称“深圳哈勃”）为股东。

资料显示，天域半导体成立于2009年1月7日，是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。目前公司已引进3台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备，生长技术已达到国际先进水平。

该公司拥有数十项半导体相关专利，如 " 一种改变 SiC 晶片翘曲度的抛光装置 " 等。

天域半导体官方消息显示，公司是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅 ( SiC ) 外延片研发、生产和销售的高新技术企业，是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证 ( IATF 16949 ) 。

2010年，天域半导体与中国科学院半导体研究所合作，共同创建碳化硅研究所。天域半导体可提供4英寸、6英寸碳化硅外延晶圆，是制作各种单极、双极型碳化硅功率器件的关键材料。

哈勃投资成立于 2019 年 4 月 23 日。法定代表人为白熠，经营范围包含：创业投资业务，由华为投资控股有限公司 100% 控股。

哈勃投资成立之初注册资本是 7 亿元人民币，随着哈勃投资的项目越来越多，华为不断向哈勃增资。目前哈勃注册资本已经增加至 30 亿元人民币。

面对美国的压力，华为正在海外招募大批人才。华为寻求聘请慕尼黑的芯片工程师、伊斯坦布尔的软件开发人员和加拿大的人工智能研究人员。此外，中国大陆和海外有数百位博士生为其效力。

随着美国制裁不断加重，半导体 " 卡脖子 " 的情况愈发严重，2019 年，华为的全资子公司哈勃投资，不断在半导体芯片、原材料、设备等行业 " 落子 "，引发外界对华为全面入局半导体行业的猜想。