【报告】《MOSFET产业链报告》：功率MOS，驱动发展

前言：

根据Omdia数据，全球功率器件总市场约为463亿美元，其中分立MOSFET占比约为18%，市场空间约为83.34亿美元，MOSFET模组约占1%。

功率MOSFET器件工作速度快，损耗小，扩展性好。适合低压、大电流的环境，要求的工作频率高于其他功率器件。应用范围覆盖电源、发频器、CPU及显卡、通讯、汽车电子等多个领域。

MOSFET的差异化主要来源于三个方面，一是基于系统know-how理解的设计能力。

二是前段制程的差异，即晶圆制造环节的工艺水平差异。三是后段制程的差异，即芯片封装工艺水平的差异。

数字逻辑芯片产品的价值链构成更长，设计软件、IP、EDA、know-how、前段晶圆制造能力、前段封装能力共同创造了芯片的附加值。由于价值链较长，逻辑芯片产业链出现了产业分工，Fabless+Foundry模式渐渐替代传统的IDM模式。

但是在功率半导体领域，价值链较短，前段晶圆制造能力和后端封装能力是构成产品附加值的核心，国际一线企业大多数采用IDM模式。

MOS升级之路：制程缩小+技术变化+工艺进步+第三代半导体

制程缩小：MOSFET的生产工艺在1976-2000年左右跟随摩尔定律不断缩小制程线宽。生产工艺制程从早期的10微米制程迭代至0.15-0.35微米制程。技术变化：MOSFET经历了3次器件结构上的技术革新：沟槽型、超级结、Insulated Field Plates。每一次器件结构的发化，在某些卑项技术指标上产品性能得到飞跃，大幅拓宽产品的应用领域。

工艺进步：在同一个器件结构下，通过对生产工艺进行调整，产品FOM性能变得小幅改善。

材料迭代：SiC、GaN半导体功率器件。

以下是《MOSFET产业链报告》部分内容：

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作者 | 方文