据知情人士透露,三星电子将于2023年底开始量产光罩护膜(Pellicle),此举将加速其采用EUV工艺的DRAM生产进程。

 

据THE ELEC报道,知情人士指出,三星极有可能使用ASML合作伙伴三井化学制造的光罩护膜。ASML在2019年宣布同意将EUV光罩护膜组装技术授权予日商三井化学,在未来持续与合作伙伴共同开发下一代光罩护膜。

 

据了解,使用光罩护膜最主要有两种目的,其一为增加芯片生产良率,其次是减少光罩在使用时的清洁和检验,有效提高产量。

 

但目前,提升光罩护膜的透光率仍是产业面临的课题之一。EUV工艺的光罩护膜透光率需要超过90%,并且必须至少达到50 nm,业界公司尚未能提供这一规格的产品。

 

另外,由于EUV光罩成本高达数十万美元,尽管使用护膜可以免受损坏,但三星和台积电到目前为止还未在EUV生产工艺中使用光罩护膜。

 

全球范围内,开发EUV光罩护膜的公司主要包括ASML、三井化学、imec、FST和S&S Tech。

 

报道指出,三星可能会使用ASML推荐的护膜,因为如果该公司采用了其他护膜,ASML可能不会提供维修等售后服务。去年,ASML展示了一种名为MK3.0的护膜,其透光率为82%至83%。三星很可能会使用新一代产品MK4.0。

 

如果三星采用光罩护膜,则有望加速将EUV工艺大规模应用于DRAM生产,并在与SK海力士和美光的竞争中继续保持领先地位。