基础半导体器件领域的专家Nexperia,今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’,这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功,本届为期三天的活动将扩大规模,涵盖与功率电子元件相关的众多主题,包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管

 

会议重点将包括:

  • MOSFET全电热模型

Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览,该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性,并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。

 

  • 650V CCPAK贴片封装氮化镓器件评估 

行业领先的CCPAK封装氮化镓器件的评估板即将推出,便于使用双脉冲测试评估其特性和优势。

 

  • 功率MOSFET在工业应用中的设计

无论出于什么原因、什么时间需要一路500 A的MOSFET,它都需要能优化关键特性并管理涌入电流和热SOA曲线。

 

  • 肖特基整流器、锗化硅整流器或恢复(PN)整流器? 

如何通过选择最合适的功率二极管,在LED驱动器或电磁阀驱动器等汽车应用中实现出色的效率和可靠性。 

 

整个议程将包括现场演示,邀请工程师讨论当今使用功率器件进行设计时面临的最大挑战,同时还会展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和贡献。在活动期间,参会者还可以观看Nexperia资深功率专家直接从公司全球实验室为大家带来的最新技术演示。


此次‘Power Live’活动将于9月23日(星期四)结束,由Nexperia和行业专家共同参与的GaN小组讨论将是最后一场活动。这将是一场针对探讨对技术和市场想法及影响的开放式论坛,非常欢迎与会者的倾情贡献。


Nexperia全球营销主管Robby Ferdinandus针对‘Power Live’评论道:“去年我们第一次举办活动时得到了非常棒的反馈。超过700多名工程师注册参加,并且许多人表示能与现场会议中志同道合的伙伴交流,讨论常见的设计挑战,这种体验十分宝贵。”

 

完整的活动日程现已发布。可以使用注册页面上的表格提交咨询有关GaN小组讨论会的问题。