意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大,高低边输出信号传播延迟相同,都是45ns,能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

 

STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V,还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管,在驱动 GaN 器件时,可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS),确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。此外,驱动器还集成一个自举电路,可大限度降低物料清单成本,简化电路板布局。自举电路使用同步整流 MOSFET开关管,使自举电压达到VCC逻辑电源电压值,从而让驱动器只使用一个电源,而无需低压降稳压器 (LDO)。

 

STDRIVEG600的 dV/dt为±200V/ns,确保栅极控制在恶劣的电气环境中具有较高的可靠性。逻辑输入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信号,方便连接主微控制器DSP处理器。高边电路耐受电压高达 600V,可用于高压总线高达 500V 的应用领域。

 

驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A,并提供独立的导通和关断引脚,让设计人员可以选择适合的栅极控制方式。此外,高低边电路都支持与功率开关源极相连的开尔文连接方法,以增强控制性能。低边驱动器的专用接地和电源电压引脚可实现开尔文连接,确保开关操作稳定,并允许使用分流电阻器检测电流,而无需额外的隔离或输入滤波电路

 

驱动器内置完备的安全保护功能,其中,高低边驱动欠压锁定 (UVLO)可以防止功率开关管在低效率或危险工况下运行;互锁保护可以避免开关管交叉导通。其他保护功能包括过热保护、 省电关闭功能专用引脚。

 

STDRIVEG600 适用于高压 PFC、DC/DC 和 DC/AC 变换器、开关电源、UPS 电源系统、太阳能发电,以及家用电器、工厂自动化和工业驱动设备的电机驱动控制等应用。

 

驱动器有两款配套开发板,帮助设计人员快速启动新项目,其中,EVSTDRIVEG600DG 板载一个 150mΩ 650V GaN HEMT晶体管,该晶体管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封装,带有Kelvin驱动源引脚;EVSTDRIVEG600DM开发板配备一个STL33N60DM2 内置快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率开关,该晶体管采用带有Kelvin驱动源引脚的8mm x 8mm PowerFLAT封装或者 DPAK 封装。

 

STDRIVEG600 驱动芯片已量产,采用 16 引脚 SO16 封装。