EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET),器件型号为EPC2069,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。


宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069(典型值为 1.6 mΩ、40 V)是更高性能的低压器件,可立即供货。


EPC2069 非常适合需要高功率密度的应用,包括48 V-54 V输入服务器。较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面积内,实现高功率密度。EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解决方案,范围从 500 W 到 2 kW,效率超过98%。在初级侧和次级侧使用氮化镓(eGaN)器件可实现超过4000 W/in3 的最大功率密度。


EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow 表示:“EPC2069器件专为从40 V–60 V转至12 V的LLC DC/DC转换器的次级侧而设计,目前非常普遍用于48 V–54 V输入的服务器,以应对人工智能和游戏等高密度计算应用所需。与上一代40 V GaN FET相比,这款40 V器件的尺寸更小、寄生电感更小和成本更低,从而让设计师实现更高的性能和成本效益”。


EPC90139开发板的最大器件电压为40 V 、最大输出电流为40 A,配备板载栅极驱动器的半桥器件,采用了EPC2069 eGaN FET。这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。电路板专为实现最佳开关性能而设计,包含所有关键组件,让工程师易于评估EPC2069。


一个2,500颗的卷盘的EPC2069单价为2.73美元,EPC90139开发板的单价为123.75美元,均可从Digi-Key购买。