中芯成都代工,采用上海微光刻机 SSA800/10W浸入式光刻机参数:镜头NA:1.35 单次曝光分辨率:38-41nm 双工件台:DWSi,产率在每小时200片晶圆 套刻精度:优于2.5nm 设计指标:能够在单次曝光条件下满足28nm平面planner晶体管逻辑电路工艺需求。
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中芯成都代工,采用上海微光刻机 SSA800/10W浸入式光刻机参数:镜头NA:1.35 单次曝光分辨率:38-41nm 双工件台:DWSi,产率在每小时200片晶圆 套刻精度:优于2.5nm 设计指标:能够在单次曝光条件下满足28nm平面planner晶体管逻辑电路工艺需求。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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RG1676-2 | 1 | Electrocube Inc | RC Network, Bussed, 10W, 100ohm, 1000V, 0.5uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED |
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暂无数据 | 查看 | |
2-520184-2 | 1 | TE Connectivity | ULTRAFAST 250 ASSY REC 22-18 TPBR LP |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$0.32 | 查看 | |
BAT54HT1G | 1 | Fairchild Semiconductor Corporation | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-76, 2 PIN |
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$0.19 | 查看 |