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目标
本次实验的目的是研究简单的NMOS源极跟随器，有时也称为共漏极配置。
材料
- ADALM2000主动学习模块
- 无焊面包板
- 一个2.2 kΩ电阻(RL)
- 一个小信号NMOS晶体管（M1采用增强模式CD4007或ZVN2110A）
说明
面包板连接如图1和图2所示。波形发生器W1的输出连接至M1的栅极端子。示波器输入1+（单端）也连接至W1输出。漏极端子连接至正极(Vp)电源。源极端子连接至2.2 kΩ负载电阻和示波器输入2+（单端）。负载电阻的另一端连接至负极(Vn)电源。要测量输入-输出误差，可以将2+连接至M1的栅极，2–连接至源极，以显示示波器通道2的差值。
图1.源极跟随器
硬件设置
波形发生器配置为1 kHz正弦波，峰峰值幅度为2 V，偏移为0。示波器通道2的单端输入(2+)用于测量源极的电压。示波器配置为连接通道1+以显示AWG发生器输出。在测量输入-输出误差时，应连接示波器的通道2，以显示2+和2–之间的差值。
图2.源极跟随器面包板电路
程序步骤
配置示波器以捕获所测量的两个信号的多个周期。产生的波形如图3所示。
图3.源极跟随器的输入和输出波形
源极跟随器的增益(VOUT/VIN)理想值为1，但总是略小于1。增益由以下公式1计算得出：
从公式可以看出，要获得接近1的增益，我们可以增大RL或减小rs。也可以看出，rs是ID的函数，ID增大，rs会减小。此外，从电路可以看出，ID与RL相关，如果RL增大，ID会减小。在简单的电阻负载发射极跟随器中，这两种效应相互抵消。所以，要优化跟随器的增益，我们需要找到能在不影响另一方的情况下降低rs或增大RL的方法。需要注意的是，在MOS晶体管中，ID = Is (IG = 0)。
其中，K = μnCox/2，λ可以认为是与工艺技术相关的常数。
从另一个角度来看，因为晶体管Vth本身的DC偏移，在预期的摆幅内输入和输出之间的差值应是恒定的。受简单的电阻负载RL影响，漏电流ID会随着输出上下摆动而升高和降低。我们知道ID是VGS的函数（平方关系）。以+1 V至-1 V的摆幅为例，最小ID = 1 V/2.2 kΩ或0.45 mA，最大ID = 6 V/2.2 kΩ或2.7 mA。因此VGS会发生明显变化。根据这些实验结果，我们能从一个方面改善源极跟随器。
现在可以使用先前学子专区实验中的电流镜来代替源负载电阻，以使放大器晶体管的源极电流固定不变。电流镜能在宽电压范围内获取较为恒定的电流。晶体管中这种较为恒定的电流会导致VGS相当恒定。从另一个角度来看，电流镜中极高的输出电阻可以有效提高RL，但rs保持为电流设定的低值。
加强源极跟随器
附加材料
- 一个3.2 kΩ电阻（将1 kΩ和2.2 kΩ电阻串联）
- 一个小信号NMOS晶体管（M1采用ZVN2110A）
- 两个小信号NMOS晶体管（M2和M3采用CD4007）
说明
面包板连接如图4和图5所示。
图4.加强源极跟随器。
硬件设置
波形发生器配置为1 kHz正弦波，峰峰值幅度为2 V，偏移为0。示波器通道2的单端输入(2+)用于测量源极的电压。示波器配置为连接通道1+以显示AWG发生器输出。在测量输入-输出误差时，应连接示波器的通道2，以显示2+和2–之间的差值。
图5.加强源极跟随器面包板电路
程序步骤
配置示波器以捕获所测量的两个信号的多个周期。产生的波形如图6所示。
图6.加强源极跟随器波形
源极跟随器输出阻抗
目标
源极跟随器的一个重要方面是提供功率或电流增益，即从高电阻（阻抗）级驱动低电阻（阻抗）负载。因此，测量源极跟随器的输出阻抗具有指导意义。
材料
- 一个4.7 kΩ电阻
- 一个10 kΩ电阻
- 一个小信号NMOS晶体管（M1采用CD4007或ZVN2110A）
说明
图7和图8中的电路配置增加了一个电阻R2，将来自AWG1的测试信号注入M1的发射极（输出）。输入端（M1的基极）接地。
图7.输出阻抗测试
图8.输出阻抗测试面包板电路
硬件设置
波形发生器配置为1 kHz正弦波，峰峰值幅度为2 V，偏移为减去M1的VGS（约为–V）。这会将±0.1 mA (1 V/10 kΩ)电流注入M1的源极。示波器输入2+测量源极电压的变化。
程序步骤
绘制在源极处测得的电压幅度。配置示波器以捕获所测量的两个信号的多个周期。产生的波形如图9所示。
图9.输出阻抗测试波形
问题：
您能简要描述两种提高源极跟随器增益（接近1）的方法吗？
您可以在学子专区博客上找到问题答案。
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