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/美通社/ --新思科技（Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其集成了2.5D和3D多裸晶芯片封装协同设计和分析技术3DIC Compiler平台已通过三星多裸晶芯片集成(MDI™)流程认证，以助力面向高性能计算、AI和5G等计算密集型应用SoC的创新。基于此，双方共同客户能够通过统一的3DIC设计平台高效管理复杂的2.5D和3D设计，支持数千亿晶体管设计，并达成更佳PPA目标和扩展性能。
三星电子晶圆厂设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示：“新思科技和三星正共同努力，通过从早期到系统全面实现和签核的分析，简化多裸晶芯片设计优化的方式。基于新思科技3DIC Compiler平台进行芯片和先进封装协同设计和分析，再一次证明了我们的密切合作能够为客户提供先进生产力解决方案，协助他们缩短周转时间并降低成本。”
多裸晶芯片集成是指将多个裸晶芯片堆叠并集成在单个封装中，以满足在PPA、功能性、外形尺寸和成本方面的系统要求。在这种模式下，终端产品可模块化灵活组合，将不同的技术混合和匹配成解决方案，以满足不同的市场细分或需求。3DIC Compiler是一套完整的端到端解决方案，可实现高效的多裸晶芯片设计和全系统集成。它建立在高度集成的新思科技Fusion Design Platform™的通用、可扩展的数据模型之上，支持多裸晶芯片的协同设计和分析，为3D可视化、设计早期探索、规划、具体实现、设计分析和签核提供统一无缝集成的环境。
新思科技芯片实现事业部总经理Shankar Krishnamoorthy表示：“传统的3D IC设计流程分离繁琐且需要反复迭代，实现多裸晶芯片集成需要多个工具和流程，因此限制了工程效率。为满足我们客户对更高效率、更大扩展能力的需求，我们在3DIC Compiler上进行开创性创新，提供开发到签核的3D硅实现一体化平台，进一步提升了新思科技在此领域的领先地位。 三星和新思科技密切合作，实现3DIC Compiler在MDI流程的验证，为我们的共同客户提供经过流片验证的成熟平台，以优化其创新多裸晶芯片设计并加速产品上市。”
3DIC Compiler平台集成了StarRC™和PrimeTime®黄金签核解决方案，氪为多裸晶芯片提取寄生参数及静态时序分析 (STA)；采用Ansys® RedHawk™-SC和HFSS技术进行电迁移/电压降(EMIR)分析、信号完整性/电源完整性 (SI/PI) 分析及热分析；内置PrimeSim™ Continuum用以电路仿真，并集成了IC Validator™用以设计规则检查 (DRC) 、电路布局验证(LVS) ；同时还包含了新思科技TestMAX™ 支持IEEE1838多裸晶芯片测试设计标准的DFT 解决方案。
3DIC Compiler作为新思科技Fusion Design Platform的一部分，与Fusion Compiler™结合使用可扩展实现多裸晶芯片RTL-to-GDSII的协同优化。此外，该解决方案还提供DesignWare® Foundation、112G USR/XSR Die-to-Die和HBM2/2E/3 IP、SiliconMAX™ In-Chip Monitoring and Sensing IP，并支持集成光电技术。 更广泛的解决方案可通过新思科技Verification Continuum®平台提供硬件和软件协同验证、功率分析和系统物理原型设计。3DIC Compiler平台和更广泛的芯片实现产品组合都是新思科技Silicon to Software™战略的一部分，旨在助力开发面向未来的半导体和软件产品。
