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扫码加入针对通用半导体照明，以SiC为衬底采用MOCVD方法外延GaN基蓝光LED芯片，并结合YAG荧光粉研制白光LED器件。在SiC衬底上采用AlN和梯度AlGaN缓冲层技术，进行GaN基蓝光LED全结构生长，获得了高效的蓝光外延片。进一步，采用蓝光芯片加YAG荧光粉制备了白光LED芯片，其测试结果显示基于SiC衬底得到的白光LED光效达131 lm/W，处于国内领先水平。
可产业化
本项目瞄准半导体照明的高端应用-通用照明，主要应用于取代传统的照明灯具，以及提供应用于高效大功率照明环境的照明灯具，可推动我国汽车照明用LED产业的发展，带来巨大的社会和经济效益。
技术转让、技术作价入股
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBRS240LT3G | 1 | onsemi | Schottky Power Rectifier, Surface Mount, 2.0 A, 40 V, SMB, 2500-REEL |
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$0.24 | 查看 |
| VS-ST1280C06K1 | 1 | Vishay Intertechnologies | Silicon Controlled Rectifier, |
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暂无数据 | 查看 |
| VS-30TPS12PBF | 1 | Vishay Intertechnologies | Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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$3.2 | 查看 |
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