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2月10日，国产功率半导体厂商东微半导登陆科创板。
开市后，东微半导涨至148元/股，之后有所回落。截至成文，东微半导报132元/股，总市值90亿元。
Source：同花顺截图
募资9.39亿，加码功率半导体！
据悉，东微半导本次募集资金投资项目如下：
Source：公告截图
超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目
项目投资额为 20,414.58 万元。项目是对高压超级结 MOSFET 产品及中低压屏蔽栅 MOSFET 产品的设计及工艺技术等方面进行改进和提升。
高压超级结 MOSFET 产品升级具体包括 8 英寸第三代超级结 MOSFET 产品及 12 英寸先进工艺超级结 MOSFET 产品的设计及工艺技术提升；中低压屏蔽栅 MOSFET 产品升级具体包括第三代高速屏蔽栅中低压 MOSFET 及高鲁棒性中低压 MOSFET 产品的涉及工艺技术提升。
新结构功率器件研发及产业化项目
项目投资10,770.32 万元，本项目拟在未来三年陆续推出高速率 IGBT、超级硅 MOSFET 以及新一代高速大电流功率器件产品。可广泛应用于 5G 基站、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器等细分领域。
其中，IGBT 产 品研发涉及 900V 以下三栅 IGBT、900V 及以上三栅 IGBT、车规级高可靠性 IGBT 及 12 英寸先进制程 IGBT 产品系列的研发及产业化；超级硅 MOSFET 产品研发涉及第一 代及第二代超级硅 MOSFET 的研发及产业化；新一代高速大电流功率器件系列主要为 600V/650V Hybrid-FET 器件的研发及产业化。
研发工程中心建设项目
项目总投资额为 16,984.20 万元，项目是围绕 SiC 器件、新型硅基高压功率器件方向进行产品技术的创新研发，开发新的技术方案，增加功率器件失效性和可靠性的固定资产投入，优化实验环境，提升测试效率，进一步保障产品质量。
东微半导计划在超薄晶圆背面加工技术和高功率密度芯片及模块封装技术方向进行持续研发投入，提高工艺技术，进一步提升产品性能。
科技与发展储备资金
项目是结合公司战略发展的目标，在产业并购及整合的用途中，公司考虑重点在汽车级 功率器件设计、SiC 功率器件设计以及模块设计应用等方向投资并购国内外优质企业。
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华为哈勃投资
值得注意的是，2020年7月，东微半导获得了华为哈勃的投资。
Source：企查查
同年12月，江苏监管局披露了东微半导辅导备案信息。其保荐机构为中金公司，于2020年12月18日进行上市辅导备案。
Source：江苏监管局截图
关于东微半导
据悉，东微半导成立于2008年，是一家技术驱动型的国产功率半导体厂商。产品主要有高压GreenMOS系列、中低压SGTMOS系列、IGBT系列三大系列产品，公司的产品广泛应用于以新能源汽车直 流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工 业级应用领域，以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费 电子应用领域。同时，公司不断进行技术创新，进一步开发了超级硅 MOSFET、 TGBT 等新产品。
据6月17日，东微半导发布招股说明书中显示，公司主营业务收入构成情况如下：
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东微半导表示，未来，公司将持续开发更多新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。
（文：拓墣产业研究 Amber）
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