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东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

2022/04/06
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阅读需 6 分钟
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/美通社/-- 东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了150V N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html )。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”,适用于工业设备的开关电源,包括部署在数据中心通信基站的设备。3月31日开始出货。

TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%,后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡(*2)和两个电荷特性(*3),实现了优异的低损耗特点。此外,开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低,有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。有两种类型的表面贴装封装可供选择,分别为:SOP Advance和SOP Advance (N),后一种更受欢迎。

东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE型号外,现在还推出了高精度的G2 SPICE型号,可以准确地再现瞬态特性。

东芝将扩大其功率MOSFET产品阵容,通过减少损耗来提高设备的供电效率,帮助降低功耗

注:
(*1) 截至2022年3月的东芝调查。

(*2) 与目前的产品TPH1500CNH(U-MOSVIII-H系列)相比,该产品的漏源极导通电阻x栅极开关电荷提高了大约20%,漏源极导通电阻x输出电荷提高了大约28%。

(*3) 栅极开关电荷和输出电荷

应用领域

  • 通信设备的电源

特点

  • 优异的低损耗特性。

(在导通电阻和栅极开关电荷与输出电荷之间进行权衡)

  • 低导通电阻:RDS(ON)=9.0milliohms(最大)@VGS=10V
  •  
  • 通道温度额定值高:Tch(最大)=175C

主要规格:
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202203249042-O1-spr94552.pdf 

点击以下链接,了解更多关于新产品TPH9R00CQH的信息:

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html 

点击以下链接,了解更多关于东芝MOSFET的信息:

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets.html 

点击以下链接,了解更多关于高精度SPICE型号(G2型号)的信息:

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html 

欲了解在线分销商的新产品TPH9R00CQH的供应情况,请在以下链接在线购买:

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQH.html 

注:
* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

* 本文所载信息,包括产品价格和规格、服务内容和联系信息,均为本公告发布之日的最新信息,但如有变化,恕不另行通知。

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