Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封装选项,Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制,能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。


Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on),其额定值分别为 9、11、18、23、33、44 和 60mΩ。这种广泛的选择可为工程师提供更多的器件选项,从而具有更高的灵活性,以实现更佳的成本/效率平衡,同时保持充足的设计冗余和电路稳健性。利用独特的级联式(cascode) SiC FET 技术,其中常开型 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生成常关型 SiC FET,这些器件可提供同类更佳的 RDS x A 品质因数,能够以较小芯片实现较低传导损耗。


Qorvo 旗下UnitedSiC首席工程师 Anup Bhalla 表示:“D2PAK-7L 封装可降低紧凑型内部连接环路的电感,与包含的 Kelvin 源极连接一起,可降低开关损耗,从而实现更高的工作频率和更高的系统功率密度。这些器件还采用银烧结(silver-sinter)芯片贴装技术,热阻非常低,可通过标准 PCB 和带液体冷却的IMS 基板最大限度地散热。”


采用 D2PAK-7L 封装的新型 750V 第 4 代 SiC FET 单价(1000 片以上,美国离岸价)从 UJ4C075060B7S 的 3.50 美元到 UJ4SC075009B7S 的 18.92 美元不等。所有器件均可从授权分销商处获得。


Qorvo 旗下UnitedSiC UJ4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列能够提供行业更佳性能品质因数,从而在更高速度下降低传导损耗并提高效率,同时提高整体成本效益。