基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET,该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装,具有市场领先的RDS(on)特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下,可使电力更为持久。 

 

新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品,迎合了更智能、功能更丰富的趋势,满足了增加系统功耗的需求。

 

RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低,从而增强可穿戴设备的用户舒适度。

 

具体而言,在VGS =4.5V时,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分别为50mΩ和55mΩ。因此,在市场上类似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE单个芯片面积导通电阻最低。此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中,还可提供额定2kV ESD保护(人体模型 – HBM)。这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A。 

 

除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外,Nexperia还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V时的最大RDS(on)为16mΩ,在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具备市场领先的效率。

 

30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN现已供货。