SK 海力士表示,该公司将比今年早些时候更加积极地提前削减 3D NAND 晶圆的产能,并且重新考虑装配其 M15 和 M16 晶圆厂的计划,以减少企业资本支出。实际上,由于 3D NAND 存储器市场出现了供过于求的现象,制造商们不得不减产以稳定价格。比如今年早些时候,SK 曾计划将 3D NAND 晶圆产量减少 10% 。不过本周的最新计划,已经调整到减产 15%(与 2018 相比)。

 

(图自:SK Hynix,via AnandTech)

 

2019 年 2 季度,SK 海力士的 NAND 闪存出货量环比增长了 40%,因为该公司增加了 72 层 3D NAND 的产量。传统上 1 季度需求较缓但总体增长,但与此同时,3D NAND 的均价跌了 25%,这也是 SK 海力士决定减产的主要原因。

 

随着 SK 海力士和其它 NAND 闪存制造商向更先进的 3D NAND 设计过渡 —— 层数更多,或启用 3D QLC、每单元比特位密度更高 —— 某种程度上就会造成供应过剩,才导致将晶圆削减 10-15%,都不足以降低同等容量的产能。

 

SK 海力士目前为数据中心和主流 SSD 市场生产 72 层 3D NAND,512 Gb 96 层 3D TLD NAND 已于去年 11 月投产、且该公司计划很快增加 96 层 3D NAND 的产量。

 

此外,SK 海力士最近开始提高 1 Tb“4D”TLC NAND 的产量 —— 这种电荷陷阱闪存(CTF)设计,采用了单元外设(PUC)架构,有望显著提升目前出货的 3D NAND 的比特位密度,并进一步增强产能输出。

 

最后,除了减少 3D NAND 晶圆的开工数量,SK 海力士还将放慢韩国清州附近 M15 工厂的洁净室空间扩张速度(该工厂可生产 DRAM 和 3D NAND),并延迟利川附近 M16 工厂的设备安装。

 

虽然 SK 海力士没有给出详细的说明,但其表示 —— 与 2019 年相比,该决定将显著降低 2020 年的资本支出,意味着该工厂的新产能或许不会在明年上线。