与非网2月5日讯,苹果SoC存储部门工程师Sukalpa Biswas与Farid Nemati共同提出了多层混合存储子系统新专利“结合高密度、低频宽存储,与低密度、高频宽存储的存储系统”。

 

报道指出,随着DRAM不断发展,DRAM设计也因应用目标不同而日趋复杂。着眼于改善存储密度/容量的设计,往往会倾向于降低(或至少不增加)频宽,而增加频宽的设计,则会倾向于降低(或至少不增加)容量和能效。这为SoC设计者而言,要如何针对芯片应用需求,在存储频宽、容量、功耗和成本上取得最佳平衡,成为一大考验。

 

而苹果基于新专利技术所构成的混合存储系统,可以至少包括两种不同类型DRAM存储(如一种是高密度DRAM,另一种是密度较低,或低延迟和高频宽DRAM)。这对将功耗和效能功耗比视为关键的移动设备与其他设备而言,有助于实现高能效运行,并提高存储容量。

 

据悉,该专利描述了使用如硅穿孔(TSV)等多种互连技术,来实现结合高速快取DRAM与主DRAM的数种混合存储系统。另外该专利应用涵盖范围是SoC,并不是PC处理器。

 

苹果已在包括欧洲专利局(EPO),以及美国、中国和日本等地专利监管机构提出上述专利申请。