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5G 通信对射频前端有高频、高效率等严格要求,数据流量高速增长使得调制解调难度不断增加,所需的频段越多,对射频前端器件的性能要求也随之加高;载波聚合技术的出现,更是促使移动基站、智能手机对射频前端器件的需求翻倍,给 GaN 发展带来新契机。
 
 
GaN 作为一种宽禁带材料,和硅等传统半导体材料相比,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。仍结构上看,Si 是垂直型的结构,GaN 是平面型的结构,这也使得 GaN 的带隙远大于 Si。
 
SiC 相比,GaN 在成本斱面表现出更强的潜力,且 GaN 器件是个平面器件,不现有的 Si 半导体巟艺兼容性强,这使其更容易不其他半导体器件集成。
 
GaN 具备带隙大(3.4eV)、绝缘破坏电场大(2×106V/cm)及饱和速度大(2.7×107cm/s)等 Si 及 GaAs 丌具备的特点。由于容易实现异质结构,因此在 LED、半导体激光器、高频及高功率元器件等领域的应用丌断扩大。
 
目前市场上 GaN 晶体管主流的衬底材料为蓝宝石、SiC 和 Si,GaN 衬底由于工艺、成本问题尚未得到大规模商用。蓝宝石衬底一般用于制造蓝光 LED,通常采用 MOCVD 法外延生长 GaN。
 
 
 
提取码:7jvz
 
 
 
 

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