基于CMOS-MEMS技术的三轴加速度计设计
[摘要]

这项研究提出了一个单一的质量块CMOS-MEMS加速度计,带有集成的三轴传感电极阵列。 本研究采用平面指型和平面外板式间隙闭合传感电极。 采用标准TSMC 0.35Pm 2P4M CMOS工艺和内部后CMOS工艺实现器件。 电容面内和面外传感间隙可以通过CMOS工艺的最小线宽和厚度来定义。 结构尺寸仅为500x500Pm2。 测量结果表明,X轴的灵敏度(非线性)为2.47mV / g(1.3%),Y轴为2.87mV / g(1.4%),Z轴为3.89mV / g(3.4%)。 面内和面外传感的噪声流量分别为0.59mg / rtHz和0.8mg / rtHz。

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上传时间:2019/03/14