sic器件介绍
[摘要]
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料, 不仅绝缘击穿场强是 Si的 10 倍,带隙是 Si 的 3 倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的 p 型、n 型,所以被认为是一种超越 Si 极限的功率器件用材料。SiC 中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也
各不相同。用于功率器件制作的话,4H‐SiC 最为合适,现在 3inch~6inch 的单结晶晶圆正在量产中。
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上传时间:2020/08/24