LDMOS功率放大器的温补电路设计
[摘要]

LDMOS管是专为射频功率放大器设计的改进型n沟道M0SFET,常工作在AB类,在工作点附近具有正的温度特性, 即在一定的栅压下,当工作温度升高时,其静态电流IDo升高;当工作温度降低时,IDo降低。一般地,当LDMOS管热沉温度从20~C升高到100~C时,其静态工作电流ID0变化140%;当温度降低至01Z时,变化量也有30%。ID0变化会影响系统的增益、效率和线性等指标,其中又以线性影响最大。因此,在工作中维持功率管(特别是大功率管)I。Q恒定,是功放板设计的关键点之一。

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上传时间:2019/01/30