flash存储器和eeprom区别

(来源于网络)

 

flash存储器和eeprom区别:

 

flash存储器和eeprom区别:

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1.擦写方式不同,FLASH在写新的数据前必须先擦除,而且只允许整页擦除,没有办法擦除一个字节,换句话说只能成块的读写。EEPROM写之前不需要擦除,可以每次改写一个字节。当然也有缺点,EEPROM读写速度慢,另外容量比较小,也就是说EEPROM价格更加贵。

 

2.使用情况不同,对单片机来说,关键性的数据,如传感器的标定数据、用户配置参数等,用EEPROM存储;而像文件等大容量的数据记录,或者经常读但很少写的数据,可以用FLASH闪存存储,像图片、字库、文件记录。除了操作次数相当高外,操作时间也很短,基本上命令发完就完成了读写操作,不需要eeprom的写等待查询。

 

3.擦写次数不同,eeprom比flash多很多,一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次(现在有些已经到了上万次),eeprom的数据比这个大,但普通eeprom也是有限制。

 

Flash存储器技术趋于成熟,应用广泛,它结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能,是目前比较理想的存储器。Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、可在线编程、存储密度高、低功耗、成本较低等特点。一般我们都认为Flash储存器具备固有不挥发性、易更新性,可靠性好的基本特性。