GlobalFoundries、Intel都在纷纷宣传各自的14nm新工艺,三星电子今天也宣布,已经在14nm FinFET工艺开发之路上取得又一个里程碑式的突破,与其设计、IP合作伙伴成功流片了多个开发载具。



与此同时,三星还与ARM签订了14nm工艺物理IP、库的协议,延续了三星在ARM SoC制造技术上的强势。



做为14nm FinFET工艺开发的一部分,三星联合ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等生态伙伴,完成了多种测试芯片的流片工作,包括完整的ARM Cortex-A7处理器、可在接近阈值电压下工作的SRAM芯片、模拟IP阵列等等。



在之前,Cadence还与ARM、IBM合作,流片了14nm FinFET工艺的ARM Cortex-M0处理器试验芯片。



14nm Cortex-A7处理器的成功流片是三星14nm工艺的最关键突破,也是无工厂企业的新希望。A7、A15是天生一对,在ARM big.LITTLE策略中分别负责低功耗、高性能,而此番在FinFET晶体管上部署成功,也验证了ARM新平台的未来可行性。下一步就应该是尝试流片Cortex-A15了。



三星表示,对比目前的32/28nm HKMG工艺,14nm FinFET工艺会进一步大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗。



三星的14nm FinFET工艺设计套件已经提供给客户,相关产品设计也可以立即开始了,但三星并未披露会何时投入量产。


或许三星的这一切都将与苹果无关了。在坚决的去三星化之路上,苹果极有可能会选中台积电,后者也为了拉拢苹果开建新的工厂,用于投产16nm工艺。