円星科技开发台积电28nm嵌入式闪存制程IP 提供高效能、低功耗的硅智财解决方案

2019-04-18 07:40:00 来源:EEFOCUS
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M31在台积电28奈米嵌入式闪存制程技术(TSMC 28nm Embedded Flash Process)所开发的SRAM Compiler硅智财解决方案,能为行动装置、电源管理、物联网、车用电子应用强化SoC设计的功耗表现。
 
台湾新竹 - 2019年4月17日 -全球精品硅智财开发商円星科技(M31 Technology,台湾股票代号: 6643)宣布,将在台积电28奈米嵌入式闪存制程技术 (TSMC 28nm Embedded Flash Process) 开发SRAM Compiler IP,这些IP解决方案将能协助设计人员提升在行动装置、电源管理、物联网,车用电子等应用的SoC功耗表现。此系列硅智财预计于今年第3季提供客户设计整合使用。
 
M31円星科技董事长林孝平表示,「随着网络传输带宽的不断加大,数据运算与储存需求日增。円星科技在台积电领先业界的28奈米嵌入式闪存制程开发的IP,除了可以缩短设计周期,同时能降低SoC功耗并提高效能,可广泛应用于高速的数据处理、电源管理,物联网、车用电子,以及行动通讯等产品的设计上」。
 
台积电设计建构营销事业处资深处长Suk Lee表示,「嵌入式闪存技术对于支持智能行动,汽车电子和物联网等广泛应用至关重要。藉由M31与台积电28奈米嵌入式快闪制程技术努力合作开发的IP,将有助于设计人员优化SoC,实现速度,面积和功耗之间的成功平衡。」
 
此次M31円星科技以台积电28奈米嵌入式闪存制程技术开发的SRAM Compiler IP功能齐全,支持多种节能模式, 用户可依据不同操作状态,切换到当下最佳省电模式,来延长行动组件电池的使用时间,以提供客户更多元的产品运用。基于优异的技术特性,此系列IP可以完全整合在嵌入式闪存制程平台上,预计今年第3季提供知名国际大厂采用。
 
未来M31円星科技将持续投入各项先进制程技术的IP开发与验证,为全球芯片设计产业提供独特的硅智财解决方案。
 
 
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