分子束磊晶(MBE)芯片厂英特磊 8 日公布 2019 年 4 月营收为 0.48 亿元新台币(单位下同),月减 23.8%,并较去年同期减少 0.9%。据悉,业绩衰退主因是英特磊的液态氮承包厂商施工疏失,造成 MBE 设备延迟出货所致。英特磊证实此事,并表示出货递延需 1 至 2 个月恢复,后续赔偿将交由保险公司处理。

 

 

英特磊总经理高永中日前于财报会表示,目前公司在主力产品线砷化镓及磷化铟、锑化镓等产品线均持续接获订单,如应用于数据中心的 VCSEL 磊芯片已初步进入量产。此外,也看好 5G 手机兴起,带动功率放大器(PA)业绩、为公司营收获利挹注贡献。

 

该公司首季营收 1.81 亿元,季增 13.12%,较去年同期减少 5.13%,累积 1-4 月营收 2.29 亿元,年减 4.27%。英特磊预计于明(9)日召开财报会,届时将公布今年首季详细营运状况。

 

现行化合物半导体商用磊晶制程技术,大致可分成 MOCVD(有机金属气相沉积法)和 MBE(分子束磊晶技术),而 2 种制程技术英特磊均具备,并采用 MBE 技术从事砷化镓、锑化镓、磷化铟化镓等三五族化合物半导体磊晶(Epi)的生产,具有从基板到磊晶的垂直整合技术能力。

 

磊晶可提供无线通讯、卫星通讯、光纤通信 5G 等商用,甚至是太空与国防上的红外线感测、夜视、摄影等产品应用,受惠 5G 基础建设布建,以及车用化合物芯片的需求将逐步增加,未来都将成为磊晶市场持续成长动能。