与非网 8 月 14 日讯,此前在日本东京的晶圆代工论坛上,三星电子展示了其先进制程技术,并提供用于生产 3nm 以下芯片、名为“环绕闸极”(GAA)技术的制程套件。三星称在 GAA 技术上,其领先全球晶圆代工龙头台积电一年,更超前英特尔(Intel)两到三年,但是近期这个言论却被台湾专家“喷了”。

 

台湾知产力专家社群创办人曲建仲介绍,场效电晶体(FET)是最基本的电子元件,电子流入再流出,由一个闸极开关控制电子导通代表 1 或不导通代表 0,科学家将它制作在硅晶圆上,是数字信号的最小单位,一个 FET 代表一个 0 或一个 1,就是电脑里的一个位数。

 

“制程节点”代表闸极的“平均长度”,会随制程技术的进步而变小,当缩小到 14 纳米以下遇到问题,因此发明了“鳍式场效电晶体(FinFET)”,但是 5 纳米以下又遇到问题,才出现“环绕闸极场效电晶体”。

 

曲建仲指出,GAA 的原理很简单,就是增加闸极与电子通道的接触面积,可以增加控制效果减少漏电流。除了三星,各家晶圆厂早就在发展 GAA,只是结构稍有不同,因为测试效果没有比 FinFET 好,良率又低,因此没有拿这个专有名词来“唬人”而已。

 

GAA 资料图,点击查看大图。图片来源:三星官网

 

曲建仲强调,三星展出的“水平式”GAA 和 FinFET 性能差异不大,这次三星讲 GAA 只是用专有名词来唬外行人,报导说三星想用 GAA 在 3nm 弯道超车台积电,“只能说不是想像力太丰富,就是三星的营销比较厉害”。

 

至于台积电在 3nm 的进展上,台积电首席执行官兼联合主席 CC Wei 在与投资者和金融分析师的电话会议上表示,在 N3 上,技术开发进展顺利,我们已经与早期客户就技术定义进行了接触,们希望我们的 3nm 技术能够进一步扩展我们在未来的领导地位。

 

台积电的 N3 将同时使用深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻设备。由于台积电的 N5 使用多达 14 个 EUV 层,因此 N3 的使用层数可能会更高。这家全球最大的半导体合约制造商似乎对其 EUV 进展感到非常满意,并认为该技术对其未来至关重要。

 

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