器件适用于 24 V 系统双向开关,最佳 RSS(ON)典型值低至 10 m,单位面积 RS-S(ON)达业内最低水平 

 

宾夕法尼亚、MALVERN — 2019 年 12 月 11 日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小型热增强型 PowerPAK® 1212-8SCD 封装新款共漏极双 N 沟道 60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN 是业内最低 RS-S(ON)的 60 V 共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC 转换器以及电源的功率密度和效率。

 

日前发布的双片 MOSFET 在 10V 电压下 RS-S(ON) 典型值低至 10 m,是 3mm x 3mm 封装导通电阻最低的 60 V 器件,比这一封装尺寸排名第二的产品低 42.5%,比 Vishay 上一代器件低 89%。

 

从而降低电源通道压降,减小功耗,提高效率。为提高功率密度,SiSF20DN 的 RS1S2(ON) 面积乘积低于排名第二的替代 MOSFET 46.6 %,甚至包括 6 mm x 5 mm 较大封装解决方案。

 

为节省 PCB 空间,减少元件数量并简化设计,该器件采用优化封装结构,两个单片集成 TrenchFET® 第四代 n 沟道 MOSFET 采用共漏极配置。SiSF20DN 源极触点并排排列,加大连接提高 PCB 接触面积,与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使 MOSFET 适合用于 24 V 系统和工业应用双向开关,包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防 / 监视和烟雾报警器。 

 

SiSF20DN 进行了 100 % Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。

 

新型 MOSFET 现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为 30 周。