引言
基于开路电压(OCV)的电量计 DS2786 在出厂时将默认的 OCV 特性和默认配置加载到 EEPROM 中。为了提高 OCV 电量计的精度并使 DS2786 适应特定的应用场合,必要时需对 DS2796 的 EEPROM 进行再编程。本文描述了如何对 EEPROM 进行编程及如何对已经安装好的电路板进行测试。

 

板极测试
下文给出了一个安装电池包之前测试基于 DS2786 OCV 电路板的例子。图 1 为电路板的电路原理图,用到了 DS2786 的所有功能。图中所有重要的测试点(共 7 个)都用带圈数字标出。测试流程假定电路中的所有分立元件已经过测试,因此,测试目的为确认线路连接,从而验证安装的电路板是否正确。

 

图 1. 必须验证的电路节点

 

测试步骤 1:测试初始化。该步骤的目的是确定电路板中是否存在直接短路,是否能进行通信。器件成功通信后可以读取电压寄存器读数,以验证 SDA 和 SCL 连接(节点 1)、Pack+和 VDD 引脚之间的连接(节点 2),以及 Pack- 和 VSS 引脚(节点 3)之间的连接是否正确。此外,通过读取电压寄存器并确认测试是否有效,可以验证 VIN 引脚(节点 4)连接是否正确。

 

Pack+与 Pack- 间接 4.0V 电源。     


等待 880ms。              等待电压转换。


读电压寄存器:              2 字节。


若未发生通信表明电路安装失败。


若电压读数不正确表明电路安装失败。

 

测试步骤 2:验证 SNS (节点 5)。通过有效的电流测试可验证 SNS 引脚连接是否正确。

 

Pack+与 Pack- 间接 4.0V 电源。 

    
Pack- 与系统 VSS 间电流为 1.0A。

     
等待 880ms。              等待电流转换


读电流寄存器:              2 字节。


若电流读数不准确表明电路安装失败。     

 

测试步骤 3:验证辅助输入 AIN0 和 AIN1 连接(节点 6)。通过有效的电阻测量可验证 AIN0 和 AIN1 引脚连接是否正确。这一步是可选的。

 

在 Pack ID 端与 Pack- 间接 10kΩ电阻。


在 Therm 端与 Pack- 间接 10kΩ电阻。
 
Pack+与 Pack- 间接 4.0V 电源。     
 
等待 880ms。        等待辅助输入转换。


读 AIN0 和 AIN1:        4 字节。


 
若 AIN0/AIN1 读数不准确表明电路安装失败。

 

测试步骤 4:验证 VPROG 并对 EEPROM 编程(节点 8)。需要提供一个测试点用于连接编程电压至 VPROG 引脚,以对 DS2786 的 EEPROM 进行编程。通过写 EEPROM 和复制 EEPROM 可以验证该连接是否正确,并验证 EEPROM 是否已更新。EEPROM 中包括了电流失调偏置寄存器(COBR),因此在编程 EEPROM 之前校准 COBR 是有益的。

 

Pack+与 Pack- 间接 4.0V 电源。     
 
校准 COBR。    若希望进行 COBR 校准,可以参看下文的详细说明。


写参数 EEPROM 区:    32 字节。
 
将参数复制到 EEPROM。     
 
等待 14ms。    等待复制 EEPROM。


向参数 EEPROM 区写 0xFFh:    31 字节(非存储器地址 0x7Dh)*。
 
从 EEPROM 中调用参数。     


读参数 EEPROM 区:    32 字节。
 
如果从 EEPROM 中读取到的 32 个字节都无法与原先写入的 32 字节相匹配,说明电路安装失败。

 

*不要向存储器地址 7Dh 写入 0xFFh,否则从地址将变化并且器件将停止响应当前从地址。

 

电流失调偏置寄存器的校准


通过电流失调偏置寄存器,可在+3.175mV 至 -3.2mV 间调节 DS2786 电流测量结果,步长为 25µV。COBR 的出厂默认值为 0x00h。以下例子列出了校准 DS2786 电流失调偏置寄存器的步骤:


给 DS2786 加电,确保检测电阻中无电流。


向 COBR 中写 0x00h (存储器地址 0x60h)。


等待 880ms,直至下一个转换周期到来。


读电流寄存器。


根据实际需要,多次重复步骤 3 和步骤 4,直至获得平均电流读数。


将平均电流读数的相应值写入 COBR。


将 COBR 值复制到 EEPROM (该步骤应与将所有值复制到 EEPROM 结合起来共同进行)。


总结
要对组装好的基于 OCV 电量计 DS2786 进行正确验证,需要测试电路中的每一个焊点。测试步骤 1、2 和 3 可以合为一个步骤以缩短测试时间,尤其是可以缩短转换延迟时间。

 

此外,测试期间对 EEPROM 编程可以提供更有效的测试流程,同时可以提供足够的时间施加保存参数(包括电流失调偏置)至 EEPROM 所需的编程电压。