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谁说我们闹掰了,英特尔和美光合推新型存储芯片破谣言

2015/07/29
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小编语:一直以来,大佬英特尔的一举一动都牵动着业界的小心脏扑腾扑腾跳个不停,何况这次是一款号称革命性的新技术发布,联想到前些时候业界对英特尔和美光合作前景的担忧,这次联合发布可以说给很多投资者以惊喜,意思是,“安啦,我们好好的”,效果也在发布会后两家公司的股价上得以体现,美光次日股价大涨9%,英特尔涨了2.9%。这个看上去具有颠覆性意义的新技术让很多人欣喜若狂,但也有冷静的业内人士站出来点评了,英特尔推3D XPoint存储技术有古怪?来听听专家的,似乎这种新技术的应用方向让人有点犯迷糊,英特尔这是要走哪一出?你觉得呢?

据《华尔街日报》网络版报道,英特尔和美光科技在7月28日宣布,他们已开发出了一种新型存储芯片,能够大幅提升计算机、智能机以及其它类型高科技产品的性能。
  

英特尔和美光称,他们计划在明年开始销售这种芯片。该芯片的处理速度最高可达到当前多数移动设备所用NAND闪存芯片的1000倍,可存储的数据容量是主流DRAM内存芯片的10倍。
  

这项技术名为3D Xpoint,虽然处理速度上还无法十分接近DRAM芯片,但是像NAND闪存芯片一样,即便在断电后它仍可以保存数据。英特尔和美光并未披露太多关于3D Xpoint的技术细节,包括他们使用的关键材料,但表示使用了一种独特方式来存储数据。
  

3D Xpoint
英特尔和美光高管预计,新芯片的速度将催生新型应用,令业界受益匪浅,特别是那些功能模式建立在大量数据基础之上的应用,比如语音识别、金融诈骗侦测以及基因组学。
  

“这确实是一项革命性技术,”美光CEO马克·德肯(Mark Durcan)在技术发布活动上表示。英特尔高级副总裁鲍勃·克鲁克(Rob Crooke)称:“这是一项很多人认为不可能实现的技术。”
  

但是这项新技术的重要性和独创性可能饱受争议。近几年来,很多其他公司都已经宣布在存储芯片开发上取得了重要进展。创业公司Crossbar战略营销和商业开发副总裁萨尔文·杜波斯(Sylvain Dubois)表示,英特尔和美光似乎仿效了其电阻式RAM技术的元素。“这听起来非常像我们已拥有的技术,”杜波斯称。
  

Everspin Technologies等其他公司也相信,他们在为稳定数据存储芯片提供DRAM级速度上已抢占先机。
  

英特尔和美光计划初期生产能够存储128Gb数据的双层芯片(two-layer chip),这一存储容量和现有的部分NAND芯片相当。随着在芯片中堆叠更多电路,英特尔和美光计划在日后提升芯片的存储容量。
  

参加该技术发布活动的分析师表示,硬件设计商需要时间来决定如何或是否使用这项技术。英特尔和美光称,现有技术为产品提供的速度提升远小于新型芯片。
  

Gartner分析师马廷·雷诺兹(Martin Reynolds)表示,这一新技术最初很可能被大型数据中心的运营者,例如谷歌和Facebook使用,以提高服务器性能。
  

他表示:“对它们而言,这带来了巨大的机会,因为它们可以大幅提升服务器的存储量。这是一个全新的市场,你将会看到随之而来的一些新增长。”
  

美光和英特尔已经成立了一家合资公司,生产用于移动设备和计算机数据存储的闪存芯片。美光也在为手机和PC生产内存芯片,并与韩国的三星和SK海力士存在竞争关系。

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