内存大厂旺宏(2337)在 3D NAND Flash 研发获得重成果,昨(29)日宣布,最新研发 3D NAND 记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM),被评选为「亮点论文」,是今年台湾产学研界唯一获选的厂商,彰显旺宏在先进内存研发实力受到国际高度肯定,也显示旺宏在业界最关注的 3D NAND 议题上扮演重要角色。

旺宏强调,独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC),相较其他大厂现有技术,以相同的堆栈层数,却可达到二到三倍的内存密度。

目前很多公司大举投入 64 层或 72 层等 3D NAND 型闪存开发,旺宏开发的 SGVC 新 3D NAND Flash 只要堆栈 16 层,内存密度即可达到现行闸极环绕型结构 (GAA)所堆栈 48 效果。

此外,由于记忆晶胞为平坦垂直渠道型晶体管结构,可大幅减少几何效应对于整体电性的敏感度,适合于需要频繁读取数据的各式应用,低层数的堆栈也有利提升制程良率。

 

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