根据市场研究公司 IC Insights 的资料,新的半导体制造产线——特别是 DRAM 存储器的导入,预计将推动 2018 年和 2019 年的晶圆总产能高于平均水准。


IC Insights 最新的全球晶圆产能报告显示,2018 年和 2019 年晶圆产能预计将成长 8%,较 2018 年至 2019 年间晶圆产业的年平均成长更高约 5%。


去年由于 DRAMNAND 闪存库存短缺导致价格上涨,这使得半导体产业的销售额首次突破了 4,000 亿美元。据世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计,去年存储器营收成长了 61.5%,其中,DRAM 销售额增加 76.8%,NAND 销售额则增加了 47.5%。

 

 
IC Insights 表示,韩国三星电子(Samsung Electronics)和海力士(SK Hynix)都计划在 2018、2019 年提高 DRAM 产能。除了美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)和中国长江存储科技(Yangtze River Storage Technology),这些存储器厂商也计画在未来几年大幅提升 3D NAND 闪存容量。


根据 IC Insights 的资料,从 2017 年到 2022 年,晶圆产能预计每年将成长 6%。


IC Insights 表示,如果 2019 年规划的新产能按计划上线,该年度所增加的半导体制造产能将达到相当于 2007 年创纪录的 1,800 万片晶圆。IC Insights 认为,这一预估数字是在假设中国的 NAND 产能将较预期更慢的前提下统计而来的。(编按:IC Insight 先前曾估计中国在自行研发的 3D NAND 量产之前会先遇到大规模的专利诉讼问题,以至量产时间延后。参考阅读:中国拼存储器得先打专利战?)