近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。
  

据了解,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,例如计算机中的内存,掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,例如人们常用的 U 盘,在写入数据后无需额外能量可保存 10 年。前者可在几纳秒左右写入数据,第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。
  

写入速度比目前 U 盘快 10000 倍,数据刷新时间是内存技术的 156 倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试,复旦大学科研团队研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。
  

值得一提的是,此次研发的新型电荷存储技术,既满足了 10 纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10 秒 -10 年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗,同时还可以实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。
  

记者了解到,从技术定义、结构模型到性能分析的全过程,这项科学突破均由复旦大学科研团队独立完成。团队立足本土,扎根中国大地,取得了国际上未来存储技术领域的一项重要科学突破,并在国际顶级刊物《NatureNanotechnology》(《自然·纳米技术》)上以长文形式发表。