在半导体领域“得存储者,得天下”,这句话一点都不夸张。2017 年三星正是借着全球存储芯片大涨价之际,一举将英特尔挑下台,成为了全球最大芯片制造商。


根据 SIA 公布的数据显示,2017 年全球半导体销售金额为 4200 亿美金,其中仅存储芯片销售就达 1200 亿美金。这也意味着,存储芯片占据整个半导体领域三分之一市场。


在相当长的一段时间里,受限于技术、资金、专利、人才等制约,中国在存储芯片领域基本处于空白。不过,近几年这一情况正在发生变化,以兆易创新为代表的中国公司正在快速崛起。


兆易创新 NOR Flash 打进三星旗舰机供应链背后
就在本月初,来自拆解网站 iFixit 拆解报告显示,兆易创新已成功打进三星旗舰智能手机供应链,旗下 32Mb 的序列式 NOR Flash 获三星的 Galaxy S9 采用。


有行业人士表示,虽然在存储芯片中 NOR Flash 是相对门槛较低的一类,但此次兆易创新进入三星旗舰机供应链仍能说明兆易的技术与供应链保证能力。


过去几年,兆易创新在 NOR Flash 领域上演逆袭之路。2005 年朱一明从美国硅谷回到中国后创办了兆易创新,一开始就选择了中国处于空白地位的存储芯片领域。在他的带领下,公司在技术和市场领域飞速发展,先后推出国内第一颗 Serial Flash 产品、第一颗静态存储器及 IP 技术、第一款 GigaROM 产品,开创了中国存储器制造先河。


不仅在技术上,在市场上兆易创新也获得认可。据 IHS 的最新数据显示,截止到 2017 年第三季度,兆易创新的 NOR Flash 市场份额高达 8%,全球排名第五。在序列式 NOR Flash 领域,公司更是从 2013 年就已经成为了全球三大供应商之一,累计出货量达到 100 亿颗。


“在技术和市场成熟的 NOR Flash 领域,兆易创新的取胜秘诀绝不仅仅是性价比。比如,当前供应链保证能力也是公司的核心竞争力之一。”一位行业人士说道。


事实上,去年开始存储芯片行业大的背景是缺货与涨价。而兆易创新凭借与外协厂商多年积累的良好协作关系,优化供应链管理,调配各供应商产能,同时强化供应链各环节的产销衔接,针对新产品、新应用开发、新技术和新流程,降低成本,提高良率,维持稳定供货。


例如,在去年 9 月兆易创新为保障长期稳定的产能供应,进一步增强竞争优势,与中芯国际签署《战略合作协议》。该协议为供货合作协议,合同标的为原材料晶圆,协议约定至 2018 年底采购金额为 12 亿元或以上。 

 

 IoT 浪潮爆发将继续推动兆易 NOR Flash 成长
除了自身实力不断提升外,兆易创新 NOR Flash 业务高成长还受到巨头的退出与产业环境利好多种因素叠加。


2017 年 2 月,美光科技宣布剥离旗下 NOR 芯片业务,转而全力冲刺 DRAM 和 NAND Flash。4 月,赛普拉斯表示,将退出中低容量的 NOR Flash 市场,专注高容量的车用和工规领域。


美光与赛普拉斯逐步退出不仅推动 2017 年 NOR Flash 市场的价格,而且也给兆易创新来了更多的市场空间。分析师预测,NOR Flash 国产渗透的空间足够满足兆易创新未来 3 年预测期出货量 15%、20%和 25%的成长。


当然,行业要发展最根本还是要有市场需求推动,这一轮存储芯片涨价缺货潮根本还是 IoT 产业的爆发。
NOR Flash 作为代码型闪存芯片,主要用来存储代码及部分数据。目前除了传统的应用领域如手机、机顶盒、电视等提供稳定需求之外,智能家居、智能建筑、智能车辆和无人机等新兴的应用领域也在大举导入 NOR Flash 作为存储驱动程序代码的存储设备,为 NOR Flash 带来新的需求增量。


而兆易创新很早就看到了这一市场趋势。此前公司公告称,针对物联网(IoT)市场,公司推出了超低功耗的 NOR Flash 产品;适用性广泛的 1.65V~3.6V 宽电源电压 NOR Flash 产品实现量产;适用车载和高性能市场,支持 DDR 接口的高速度传输速率 NOR Flash 研发成功并量产;公司持续推进先进工艺技术,NOR Flash 稳步推进 45nm NOR Flash 产品研发,保持在 NOR Flash 技术的业界领先,为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备。


NOR+NAND+DRAM 全产业链布局,打造全球存储芯片龙头
在 NOR Flash 领域站稳只是兆易创新的第一步。相比 NOR Flash 市场规模仅有 30 亿美元,DRAM、NAND Flash 动辄 300 亿 -400 亿美元的量级,这一领域才是兆易创新未来重点开拓的市场。


在 NAND Flash 业务方面,公司自研 NAND Flash 已在 2017 年 Q3 季度量产,目前产品性能和可靠性超过一般市面同类产品。同时,公司还在研发不断推进 24nm NAND。


在 DRAM 领域,2017 年 10 月 26 日,兆易创新与合肥产投签署了合作协议,双方合作开发 19nm 的 12 英寸晶圆存储器研发,项目预算约为 180 亿元。依据 1:4 负责筹集资金,目标是在 2018 年 12 月 31 日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例)不低于 10%。


从大的方向上看,目前兆易创新正在构建 NOR+NAND+DRAM 全存储芯片产品体系。在国家产业政策的支持、市场与资本助力下,兆易创新正处于天时、地利、人和的绝佳历史窗口期,相信经过这一轮的产业发展与变革,兆易创新有望成长为全球存储芯片龙头。