4 月 11 日,长江存储以“芯存长江,智储未来”为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。
 
2017 年 9 月长江存储新建的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房实现提前封顶,2018 年 2 月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装,正是为 4 月搬入机台设备而准备,预计很快就可以实现 3D NAND 量产。
 
 
中国内需庞大,不仅有华为、联想等终端制造商,还有百度、腾讯、阿里巴巴等互联网巨头,再加上中国物联网、人工智能、机器人等产业的快速发展,中国对半导体芯片需求庞大,尤其是存储器。
 
对于中国而言,芯片国产化是一个战略目标,长江存储存储器一期厂房建设的完工以及厂房正式移入生产设备,代表着国产存储正式进入正轨。
 
据悉,国家存储器基地一期规划投资 240 亿美元,占地面积 1968 亩,建设 3 座全球单座洁净面积最大的 3D NAND 闪存生产厂房,存储器基地一号项目未来总产能将达到 30 万片 / 月。
 
9 日的 CITE 大会上,赵伟国表示:武汉长江存储基地 4 月 11 日开始移入生产设备,后续将实现 32 层 64G 存储器小规模量产。
 
在长江存储发展规划中,第一阶段长江存储将以 3D Nand Flash 做为切入点,通过技术合作支持争取快速发展,第二阶段目标到 2020 年月产能达到 30 万片,赵伟国称藉此长江存储将能进入世界内存企业的第一梯队,这阶段将能贡献中国芯片制造自产率的 8%,中国目标在 2020 年芯片自给率要达到 40%。
 
赵伟国曾透露,目前已经筹集 1800 亿人民币,其中武汉 800 亿,成都、南京两个基地各 500 亿元。紫光正在和重庆市政府、国家大基金发起紫光国芯集成电路股份有限公司(简称大公司),注册资本 1000 亿人民币,注册地是重庆。希望通过注册资本 1000 亿的大公司合计筹集 1900 亿。总计 3700 亿,足够五年的弹药。
 
中国存储器三大阵营成形
中囯己有三家企业向存储器芯片制造发起冲锋,分别是武汉长江存储的 32 层 3D NAND 闪存;福建晋华的是 32 纳米的 DRAM 利基型产品;以及合肥长鑫(睿力)的 19 纳米 DRAM。而且三家都声称 2018 年底前将实现试产,开通生产线。
 
如果再计及紫光分别在南京和成都刚宣布再建两个存储器基地,总计己有五家企业。
 
中国半导体业要上马存储器芯片制造,当时大多数人持谨慎态度,不是看轻自己,而是存储器业的竞争太激烈。
 
以目前现况来看,中国发展存储器的策略能否成功,未来的 3~5 年将是极其重要的关键期,特别是强化 IP 的布局,中国政府以及厂商未来必须凭借内需市场、优秀的开发能力,以及具国际水平的产能,取得与国际厂商最有利的谈判筹码,才有机会立足全球并占有一席之地。