4 月 11 日,国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。长江日报记者了解到,设备搬入、调试将耗费 3 个月左右的时间,然后开始小规模试产,如顺利,今年四季度,中国首批拥有完全自主知识产权的 32 层三维 NAND 闪存芯片有望在光谷实现量产。

去年 9 月,国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房提前一个月实现封顶;如今,又提前 20 天实现了芯片生产机台搬入。紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国介绍,生产机台搬入对生产环境的要求很高,必须放在无尘室中并且提供相应的保障支持。因此,机台搬入说明厂房内部的洁净室、电气设备等内部装修已经陆续完成,这比厂房封顶的技术含量更高,难度更大。

9 个月建设工厂,7 个月实现机台搬入,建设节点不断提前。国家存储器基地项目上,一度达到同时有 6000 人施工的规模,昼夜奋战。生产机台搬入是重要节点,据了解,当天搬入的设备只是第一台,随后要陆续从世界各地搬入各类高精密的芯片生产机台进行调试,数量达 2000 多台。设备调试完成后,才可以规模量化生产芯片。

按照计划,今年四季度,设备有望点亮投产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露,今年将量产的产品,是去年成功研发的中国首颗 32 层三维 NAND 闪存芯片,就在 4 月 9 日,这颗耗资 10 亿美元、由 1000 人团队历时 2 年自主研发的芯片,获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

“但这仅是刚刚开始。”高启全接受访问时措辞谨慎。他介绍,32 层三维 NAND 闪存芯片量产后,不会上很高的产量,“更主要的是完成完全自主技术积累,若技术不够好,不会硬冲产量”。

目前,全球存储器芯片技术主要掌握在韩、日、美等国企业手中,属于相对垄断市场。去年 6 月,三星宣布 64 层 NAND 闪存开始大规模量产。这些技术和产品,将推动以 TB 为单位的固态盘以及 128GB 以上的手机闪存迅速普及。

有数据显示,2017 年全球闪存芯片销量超过 500 亿美元,同比增加 45%,预计 2020 年销量超过 1000 亿美元。中国市场进口超过半数,中国企业自主生产的存储芯片基本上是空白。随着需求量的激增,近 3 年来,全球存储芯片的价格不断上涨。

“板凳要坐十年冷。”赵伟国说,未来的道路还很艰难漫长,要坚定信心、保持定力,“我们希望 5 年站稳脚跟,别人没法把我们打出去,但真正的成功需要 10 年时间”。

高启全接受媒体采访时也有类似表述,“前五年追赶技术,后五年增加产量”。他说,目前长江存储完成了 32 层三维 NAND 闪存芯片的自主研发,也将投入量产,但产量和成本还不足以影响市场。“后发优势是不会走太多冤枉路,速度更快一点,但别人也在跑,追上去仍要花力气、花时间”,高启全说,64 层闪存产品研发也在迅速进行,力争 2019 年底实现产能爬坡量产,这样,就能把与全球领先大厂的差距缩短在 2 年以内,“希望用 5 年左右接近世界先进水平”。