4 月 15 日,长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司 CEO 王宁国高调现身合肥集成电路重大项目发布会表示,合肥长鑫作为国内进展最快的存储器生产基地,近日 12 吋基地约 300 台研发设备已基本全部到位,装机后今年下半年将全力投片试生产。
 
王宁国透露,合肥 DRAM 一期已于 2018 年 1 月一厂厂房建设完成,并开始设备安装;2018 年底将启动生产 8GB DDR4 工程样品;2019 年底实现单月产能 2 万片;2020 年开始规划二厂建设;2021 年完成 17 纳米技术研发。
 
 
未来,长鑫睿力 DRAM IDM 平台还将主要采购国产半导体设备与材料。
 
资料显示,长鑫 12 吋存储器晶圆制造基地项目正加快建设,项目投产后预计将占据世界 DRAM 市场约 8%的份额,填补国内 DRAM 市场的空白,合肥也因此将跨入世界级存储器制造重镇之列。