一文读懂:LPDDR5、UFS 3.0存储性能有多强劲?

2018-07-02 13:09:13 来源:cnBeta
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相较于处理器芯片,存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结,LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。


具体来说,LPDDR5的速度将达到6400Mbps,比LPDDR4翻番,比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的,LPDDR5将引入WCK差分时钟,类似于GDDR5,从而在不增加引脚的情况下提升频率。

 


此外,LPDDR5还将引入Link ECC,具备从传输错误中恢复数据的能力。


当然,因为手机、Windows平板将主要采纳,LPDD5在降低功耗方面也做了更细致的工作,虽然电压相较于LPDDR4X未变,但是闲置状态下的电流将减少40%。


有消息称,三星可能会在今年下半年宣布LPDDR5开始制造的消息,拭目以待吧。


对比之下,UFS 3.0的标准已经由JDEC正式敲定,最大速度2900MB/s,对比UFS 2.1的1200MB/s提升了1倍。

 


三星已经启动了面向汽车领域的UFS 3.0闪存芯片生产,智能机/平板有望在2019年开始逐渐普及,三星S10开始?


至于SD Express标准的存储卡,最大容量(SDUC卡)提升到128TB,速度更是可达到 985MB/s。

 

 

 

 
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