联电在大陆控告美光专利侵权案,判决结果昨(3)日出炉,联电获判胜诉,美光必须将部分产品停止销售、制造及进口。业界人士认为,美光意图阻挠联电、福建晋华在存储器领域上的合作案,却轻忽联电在专利布局上已经有相当实力,所以才会在大陆踢到铁板。


美光于去年底在美国对联电掀起诉讼战,联电也不甘示弱在大陆对美光展开反击。大陆法院昨日判决结果指出,美光确实侵害联电营业秘密。业界人士指出,联电早在 DRAM 上有自主研发能力,且专利布局时间相当长远,无须仰赖其他家公司就能自主生产。


事实上,美光与联电的 DRAM 存储胞架构明显不同,美光主要采用直行式主动区(Active Area,AA)设计,联电则选择交错式 AA 设计,其中 DRAM 的存储胞为技术关键核心,核心不同,也就代表研发技术不同。


再加上联电早年就有 DRAM 生产能力,且拥有相当多专利,未来 DRAM 世代再度向上提升后,将会进入到 MRAM 的新蓝海市场,因此联电现在可望借由旧有 DRAM 技术,将台湾存储器领域向下扎根、向上生长。


业界人士认为,美光先前在美国对联电、福建晋华控告侵害 DRAM 专利权,但从目前大陆判决结果显示,联电拥有逻辑及存储器晶片的研发能力,美光可能是有意阻挠联电和晋华合作,因为联电有自主研发能力,担心对其有重大影响,所以美光才会从台湾及美国一路提告,同时透过媒体试图中伤联电。


业界人士推测,美光对联电及晋华提告,最终目标应是希望晋华未来能够与美光在 DRAM 市场上携手合作,也就是循华亚科模式,让美光在大陆 DRAM 市场能够获取更大利益。


业内人说,美光本次对联电的诉讼忽略的是联电在晶圆代工领域已经有 30 多年的历史,不论在逻辑、射频(RF)及存储器等专利布局,因此美光这次严重轻忽联电的技术布局实力,才会在中国大陆侵权案败诉。