昨日,国产存储传来了一条重大好消息!
 
知情人士告诉记者,国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片,产品规格为 8Gb LPDDR4,这是国产 DRAM 产业的一个里程碑,加上早前宣布在 3D NAND Flash 取得进展的长江存储,国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破,为推动存储国产化掀开了重要一页。
 
无独有偶,合肥长鑫合作方兆易创新的创始人朱一明先生在昨晚宣布辞去公司总经理职务,但将继续担任公司董事长及董事会相关职业委员会职务。虽然公告没有透露朱一明先生的下一步动向,但据知情人士告诉半导体行业观察记者,朱一明下一步赴合肥长鑫担任重要职位,推动国产 DRAM 的发展。这进一步夯实了国内企业攻坚 DRAM 的决心。而这也是中国电子产业发展到今天必须要推进的一个领域。
 
打造国产 DRAM 势在必行
DRAM 因为其应用的广泛性和重要性,是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。也是原器件领域的一个重要组成部分。根据 IHS Markit 的数据,去年(2017)全球动态随机存取存储器(DRAM)的市场规模为 722 亿美元,较 2016 年的 415 亿美元增长了 74%。更重要的一点的是,从 2016 年开始,DRAM 的价格多次提高,2017 年的价格涨幅更是高达 40%。让一些终端厂商,尤其是国内的厂商叫苦不堪。这一方面是因为国内在这方面的缺失。
 
过往的经验表明,无论是面板、指纹识别芯片,还是 CIS,只要有国产参与其中,他们不但能把产品的价格拉的比较低,还能倒逼国外的供应商降低价格,利好于终端厂商。但在 DRAM 这个领域,国内几近一片空白。
 
IHS Markit 的数据显示,在 2017 年的 DRAM 市场,三星电子以 44.5%的市场份额稳居市场第一,SK 海力士则以 27.9%的市场份额紧追其后。美光科技(22.9%)、南亚科技(2.2%)、华邦电子(0.8%)分列其后。这几家几乎囊括了全球所有的 DRAM 供应。
 
如果说他们能够公平地做生意,在一个全球分工的时代,这也是个能被勉强接受的局面。但最新消息显示,作为 DRAM 龙头的三星,在过去一年的 DRAM 上涨过程中,似乎耍了一些手段。
 
据腾讯科技昨日的报道,因为涨价的影响,包括 DRAM 和 NAND Flash 在内的存储产品在 2017 年较之 2016 年的 800 亿美元暴涨了 65%。但进入今年 NAND Flash 开始走弱,但是 DRAM 还价格还在持续上扬,据透露,三星的蓄意减产是造成这个结局的一个重要原因。
 
在之前,市场还传出了三星 18nm 工艺的内存芯片遭遇良率问题,需要两三个月时间才能解决,这或将导致高端市场内存缺货,但这是在三星 18nm 产品亮相两年后出现的传闻,这就让人对三星的操作有所怀疑。瑞银分析师 Timothy Arcuri 更是表示,三星 18nm 芯片良率导致减产问题,可能只是暂停生产以控制产品供应量。他指出三星在内存价格下跌之前就延迟增产,这个举动不寻常,他认为三星此举是贯彻了过去几年中该公司“利润第一”的管理方式。
 
况且,数据显示,DRAM 需求在未来几年会迅速增长。国内作为主要的制造大国,对其需求有增无减。多方面的因素综合,迫使中国去打造自主可控的 DRAM 企业。
 
合肥长鑫将扮演重要角色
安徽合肥和福建晋华两个地方政府和相关人士看到了国产 DRAM 的不足,就投入了相关相关的 DRAM 的研发,这次投片的合肥长鑫将扮演国产 DRAM 的一个重要角色。
 
据天眼查资料显示,合肥长鑫集成电路有限责任公司是由合肥市产业投资控股(集团)有限公司和合肥产投新兴战略产业发展合伙企业(有限合伙)投资建立的。公司成立于 2016 年,由中芯国际前 CEO 王宁国主导。
 
2017 年 5 月 25 日,长鑫宣布,预计由合肥长鑫投资 72 亿美元,兴建 12 寸晶圆厂以发展 DRAM 产品,未来完成后,预计最大月产将高达 12.5 万片规模。
 
这边厢合肥长鑫做的如火如荼,另一边厢,国内 Nor Flash 龙头兆易创新也在寻找 DRAM 的破局之法。
 
2016 年,他们宣布欲以 65 亿元的价格收购北京硅成(ISSI)。因为该公司在 DRAM 方面有不错的积累,兆易创新就想借助这个企业涉足 DRAM。但到了 2017 年年初,兆易创新宣布终止了这单交易,这就宣告了兆易创新第一次布局 DRAM 的出师未捷。
 
到了 2017 年 10 月,兆易创新再次宣布,将与合肥市产业投资控股(集团)有限公司合作开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)研发项目。据公告规定,本项目内容为在合肥市经济技术开发区空港经济示范区内开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)的研发,目标是在 2018 年 12 月 31 日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于 10%。
 
按照项目产能的约定。在保证合法合规的前提下,项目研发及生产的 DRAM 产品优先供本公司销售并满足本公司客户的市场需求,价格参照市场行情且给予最佳优惠。项目优先承接本公司 DRAM 产品的代工需求,为本公司设计产品的流片、生产提供支持与便利,价格参照市场行情且给予最佳优惠。
 
从目前的发展上看,兆易创新和合肥长鑫的这次合作非常顺利。
 
据集微网报道,王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示,合肥长鑫的一厂厂房已经于 2018 年 1 月建设完成,设备也开始安装。根据计划,长鑫将于 2018 年年底推出 8Gb DDR4 工程样品,2019 年三季度推出 8Gb LPDDR4,到 2019 年年底,产能将达到 2 万片一个月。从 2020 年开始,公司则开始规划二厂,2021 年则完成 17nn 的研发。
 
从这次投产时间来看,一切都在计划之内。而在短短两年的发展中,公司方面也获得了不少的积累。王宁国同时指出,合肥长鑫在短短的两年内,在元件、设计、光罩、制造和测试领域都做了不少的积累。截至 2017 年底,已申请专利 354 件,2018 年计划申请专利 1155 件:其中计划申请元件专利 126 件、设计专利 144 件、成像专利 224 件。计划至 2018 年底,申请专利数量总计达到 1509 件。
 
合肥长鑫的技术积累
 
虽然合肥长鑫已经迈出了重要一步,但在强敌环伺下,他们未来还有很长的一段路要走。同时希望福建晋华的 DRAM 项目也能及时传来好消息。