当本土存储控制器芯片汹涌入市

2019-01-24 17:46:06 来源:EEFOCUS
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经过两年多的涨价潮,存储器产业在2018年进入低迷期,今年初多个机构预测2019年的存储市场也不容乐观,但这些并未阻挡本土存储芯片厂商的热情,闪存颗粒厂方面,武汉新芯在2018年12月宣布三维集成技术研发成功,我们也期待长江存储的64层闪存能如期在年内顺利量产,相比于闪存颗粒的几大势力集聚,存储控制器芯片则呈现百家争鸣的热闹局面,去年我在文章《存储控制器芯片的本土化时代来临?》中讨论了这个话题,当前国内存储控制器芯片的三股势力包括本土、海归和台系厂都动作频频。月初,海归派的代表忆芯科技刚在美国拉斯维加斯的CES 2019上首次亮相后,近日又马不停蹄的在国内举办了一场隆重的发布会,向消费级和入门级企业市场推出其最新一代SSD存储控制器芯片STAR1000P,该公司创始人/CEO沈飞也带来了一场激情洋溢的演讲。


这位理想主义者给我们留下了深刻的印象,与很多经常亮相的科技界领袖一样,一身牛仔、黑衬衫的搭配让人感觉在致敬乔布斯。沈飞一方面给出数据让我们看到在存储芯片市场里本土厂商仍大有可为,另一方面对自家产品的硬实力也毫不讳言。

 


在固态硬盘SSD市场,2018年市场规模超200亿美元,2021年该数字将破300亿美元。另外,PCIe接口的固态硬盘产品,因低延迟、低损耗、高性能等明显优势,被业界公认为是固态硬盘行业的发展大趋势。沈飞认为PCIe取代SATA的趋势不可逆,在2019年就会看到这一现象。

 


STAR1000P是亿芯科技的第二代 NVMe SSD控制器,主机接口为 PCle Gen3x4,支持NVMe1.3协议,支持8个闪存通道,最大32TB Flash容量。STAR1000P实现了3.5GB/s和3.2GB/s的顺序读写以及600 K IOPS以上的随机读写性能,最低8us的写延迟,助力数据中心关键应用。STAR1000P除支持国际AES加密标准以外,也全面支持中国商密(SM2/3/4)安全方案。STAR1000P采用忆芯科技第三代 StarlDPC纠错码技术,可以轻松应对3DTLC/QLC挑战。DVFS技术,极致优化动态时钟门控等任功耗技术,保证了STAR1000P在全性能模式下的功耗仅为2W左右。同时STAR1000P增强了 NVMe PI,EEEC,In-line ECC等软错操处理技术,以满足工业及企业级高可靠性要求。
 

沈飞提到,STAR1000P从2017年10月9日开始研发,能够在今天发布是40名硬件工程师,经历286个日日夜夜,写下310万行设计验证代码,做了552JIRA问题跟踪的努力成果,其间共取得了66项专利技术。凭借过硬的技术,STAR1000P和其他主控竞品性能相比处于领先位置。

 

 
发布会上,忆芯科技也展示了基于STAR1000P控制器芯片的“风林火山”四大解决方案。沈飞这样解释:风林火山来自《孙子兵法》 。其中:


风,其疾如风,代表忆芯科技的高性能、低功耗NVMe消费级解决方案——STAR1200C。沈飞称,基于STAR1000P的高性能低功耗NWMe消费级解决方案具有诸多优点。能够实现顺序读写3.5GB/s/3.2GB/s,随机读写750 K IOPS/600 K IOPS;拥有灵活NAND的适配方案,支持市场主流TC/QLC颗粒;有更宽容量范围:128GB-8TB,可以灵活OP定制;实现了更低运行和待机功耗,最低小于1.5mW待机功耗,4种功耗状态;满足OEM可靠性要求,In- line ECC,EEEC等软错误处理;拥有TCG/AES/SM多种盘内安全协议和加密算法。
 
林,其徐如林,代表忆芯科技基于定制化Open-Channel接口的数据中心解决方案——OC SSD。沈飞表示,搭载忆芯科技自研主控和固件的Open- Channel SSD支持Open- Channel SSD1.2/2.0;顺序读写3.56B/s/3.26B/S,随机读写750 K IOPS/600 K IOPS;支持基于 NVMe CMB的高性能SCM( Storage Class Memory,写性能>1GB/s;支持基于 OC SSD的系统适配和优化。
 
火,侵掠如火,代表忆芯科技的DeepSSD。在沈飞看来,DeepSSD能够赋能监控市场存储应用,兼容软/硬件KV存储方案;有效加速数据聚类,分组计算;等效并发访问能力10X-15X现有监控系统;KV存储IO低至关系型数据库的六分之一;拥有多目标实时存储及检索能力;高度兼容现有监控架构,有效助力监控系统性能提升。
 
山,不动如山,代表忆芯科技的低功耗、高性能NVMe企业级解决方案——STAR1200E。沈飞介绍,STAR1200E能够实现顺序读写3.5GB/s/3.26B/s,随机读写750K IOPS/70K IOPS(sustained);能够满足企业级低延迟特性要求,读写延迟75us/8us;QoS保证,硬件多队列,实时任务调度;拥有企业级可靠性保证,4 K LDPC纠错,RAID,以及包括ln-line ECC/EEEC/SRAM ECC/P等软错误检测恢复手段;支持更多NVMe1.3企业级功能,如 Streaming,atomic write等。

我们很高兴看到本土存储控制器芯片厂商的风生水起,但在热闹背后我们也要思考几个问题,这决定着这些厂商最后将何去何从,是真的成就为产业开拓者甚至中国芯片产业的英雄还是黄粱一梦。


1.这些一拥而上的存储控制器芯片厂是否有可持续的创新力,即远见,保证产品更迭和产品线的不断丰富?
2.我们的存储控制器芯片的市场在哪里、客户在哪里,显然不可能仅靠长江存储和武汉新芯未来可能具有的产能来支持目前汹涌而来的本土控制器芯片厂商的盈利,那我们是否能与Marvell这样的大厂竞争?
3.如果我们的目标市场不在高端,那当所有控制器芯片厂商都量产上市,尤其是SSD存储控制器芯片厂商们,能否守住价格的红线,不让它变成又一个光伏和LED市场?
 

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作者简介
高扬
高扬

与非网总编。网称“羊在发现”,电子工程科班出身,三载研发历练,以我专业背景和对文字的热爱进入与非网,属偶然中的必然。愿不断发现电子奥妙、产业脉动,以我见我思还一个真相。工作之外,话剧、旅行、阅读是最大乐事。

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