富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为 MB85RS4MTY 的 4Mbit FRAM,其容量达到 FRAM 产品最高水平,运作温度最高可达 125℃。目前可为客户提供评测版样品。

 

这款全新 FRAM 是非易失性内存产品,在 125℃高温环境下可以达到 10 兆次读 / 写次数,工作电流低,是工业机器人和高级驾驶辅助系统(ADAS)等汽车应用的最佳选择。

 

FRAM 的读 / 写耐久性、写入速度和功耗均优于 EEPROM 和闪存,并已量产 20 多年,近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

 

自去年发布以来,2Mbit FRAM MB85RS2MTY 已在汽车和工业设备中获得广泛应用,而 MB85RS4MTY 将其容量提高了一倍,达到 4M bit,满足更高容量的需求,配有 SPI 接口,工作电压为 1.8V 至 3.6V。由于这款 FRAM 工作电流低,即使在 125℃高温下,最大工作电流仅为 4mA(运作频率 50MHz),最大掉电模式电流为 30µA,因此有助于降低环境敏感应用的功耗。

 

这款全新 FRAM 在 -40℃至+ 125℃温度范围内可以达到 10 兆次读 / 写次数,适合某些需要实时数据记录的应用。例如,每 0.03 毫秒重写一次数据,同一地址连续记录数据可达 10 年之久。

 

这款 FRAM 产品采用业界标准 8-pin SOP 封装,可轻松取代现有类似引脚的 EEPROM。此外,还提供 8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

 

 

 

富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。

 

关键规格

  • 组件型号:MB85RS4MT

 

  • 容量(组态):4 Mbit(512K x 8 位)

 

  • 接口:SPI(Serial Peripheral Interface)

 

  • 运作频率:最高 50 MHz

 

  • 运作电压:1.8V - 3.6V

 

  • 运作温度范围:-40°C - +125°C

 

  • 读 / 写耐久性:10 兆次(1013 次)

 

  • 封装规格:8-pin DFN,8-pin SOP

 

词汇与备注

铁电随机存取内存(FRAM)

 

FRAM 是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM 结合了 ROM 和 RAM 的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读 / 写周期的优点。富士通自 1999 年即开始生产 FRAM,亦称为 FeRAM。