根据 TrendForce 集邦咨询旗下半导体研究处表示,2020 年初在 Server DRAM 价格强势领涨的带动下,各类 DRAM 价格正式翻扬;即便新冠肺炎疫情在第二季开始蔓延全球,但采购端因担忧零部件断货,并未减少原本预估的订单量,使 DRAM 供应商出货量优于预期,进一步激励整体 DRAM 价格涨幅扩大,推升第二季 DRAM 总产值至 171 亿美元,季成长 15.4%。

 

TrendForce 集邦咨询并指出,经过连续两季的拉货后,Server 业者库存水位已逐渐攀升,在整体经济仍处低潮的情况下,以 Enterprise Server 为首的采购动能开始转趋保守。在 DRAM 产业由 Server 领涨领跌的趋势下,恐带动其他产品价格一并反转向下。因此预估第三季将出现量平价跌走势,DRAM 原厂获利能力将转弱。

 

第二季 DRAM 价格涨幅扩大,拉升三大 DRAM 原厂营收与市占

观察三星(Samsung)、SK 海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三大 DRAM 原厂营收表现,第二季走势一致且无明显变动,在 DRAM 量价齐扬带动下,营收成长皆突破双位数;而各家市占除三大巨头以外,其他厂商占比合计仅 5%。然第三季由于适逢美光财务年底,推测其会较积极降价求量,可能使市占小幅上扬,但三大厂整体格局仍不受影响。

 

第二季 DRAM 整体均价大致上升约 10%(受各家产品比重与财务会计区间不同而有所差异),因此各家获利皆呈现上扬走势。以三星而言,营业利益率自第一季 32%攀升至 41%,突破四成水平;SK 海力士因 Server DRAM 比重高,加上价格涨幅剧烈,营业利益率达 35%。美光本次财报区间(3 月至 5 月)的报价涨幅小于韩系厂,因此营业利益率受益有限,仅由上季的 16%上升至 21%。预期第三季原厂成本优化的速度较难以支撑报价下滑,获利恐面临压力。

 

疫情导致需求端状况不明,DRAM 原厂谨慎规划明年产能

从技术发展来看,第二季三星持续将 Line 13 部分产能由 DRAM 转向 CIS(图像传感器),并准备启动平泽二厂 P2L,预计下半年投入 DRAM 生产,在弥补 Line 13 投片下滑的同时,也开始拉高 1Znm 制程比重。SK 海力士 M10 厂 DRAM 投片持续转向 CIS,同时增加 M14 产出;下半年将小幅提高无锡厂的产能,全年 DRAM 位元增加主要来自于 1Ynm 制程比重提升。

 

美光今年仍着重在 1Znm 制程的量产与产出比重的拉升,当前适逢量产初期且部分 OEM 处于产品验证阶段,因此 1Znm 占比不高。预计随着验证通过,1Znm 将成为该公司主推制程,而总产能方面则与去年大致相同。整体而言,今年三大 DRAM 原厂皆审慎扩增产能,加上疫情对需求端带来的低潮尚未解除,预估明年位元成长仍有近七成来自 1Ynm 与 1Znm 的先进制程转换;而厂房扩增的产能增加仅占三成。

 

台系厂商专研先进制程与产品改良,整体表现量价齐扬

观察台厂方面表现,南亚科(Nanya Tech)出货量与均价皆呈现约 7%涨幅,使其第二季营收较前一季增加 15%;而受惠于报价走升其营业利益率来到 19.6%。华邦(Winbond)受到长约效应影响,价格成长幅度仅 0.5%,相较 DRAM 营收,Flash 成长动能较显著。力积电(Powerchip)营收仅计自家生产之标准型 DRAM 产品,第二季因 PMIC(电源管理 IC)、Driver IC 等逻辑产品需求畅旺,导致 DRAM 产能限缩,因此 DRAM 营收仅约略持平。

 

三家台厂在第二季皆专注在下一代制程的研发,如南亚科积极专研 1A/1Bnm,期望尽快导入试产;华邦持续提升新制程 25nm 的良率,而产能扩建倾向以 Flash 为主;力积电则在 25nm DDR4 产品改良的同时,以代工逻辑产品为公司之营运重心。