根据《韩联社》12 月 7 日报导,南韩存储器大厂 SK 海力士 12 月 7 日表示,该公司已于近期内成功研发出基于三层储存单元 (Triple Level Cell,TLC) 的 176 层堆栈 512Gb NAND 快闪存储器。

  

在去年 6 月的时候,SK 海力士抢先全世界,成功量产了 128 层堆栈的 4D NAND 快闪存储器。而在这回,SK 海力士则是晚了美国美光 (MU-US) 一步,美光在 11 月的时候宣布该公司已经展开 176 层堆栈 NAND 快闪存储器的出货。

 

图源:SK 海力士

 

有关这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器,该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平,比起上一代的 128 层堆栈产品,生产率提高 35% 以上,也随之拉高在成本方面的竞争力。

 

此外,比起上一代产品,资料读取速度快 20%,数据的传输速度更提升 33% 至 1.6Gb/s。

 

在上个月的时候,SK 海力士已将 NAND 样本提供给生产快闪存储器控制芯片的厂商,计划 2021 年 6 月左右进入量产,并依序推出消费级 SSD、企业级 SSD 等产品,将市场扩展到各个领域。

 

除了智能手机,新产品还可用于个人电脑和服务器配备的存储器固态硬盘(SSD)等。目前,SK 海力士已开始向客户企业提供样品,计划 2021 年中期开始量产。

 

另外,根据了解,全球最大存储器厂的三星电子 (005930-KR) 目前正着手第 7 代 V-NAND 的研发,预计 2021 年展开量产。

 

NAND 闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量,更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。NAND 闪存市场竞争激烈,围绕堆叠技术的较量也一直非常紧张。

 

整体来看,继过去一年堆叠技术突破 100 层之后,各厂商开始往更高层数上推进。

 

作为 NAND 闪存市场的重要玩家,美光率先开发出了 176 层产品。今年 11 月,美光宣布成功开发出了 176 层产品,与 128 层产品相比,读写延迟降低了 25%以上。

 

全球最大 NAND 闪存制造商三星电子的第七代 V-NAND 正处于开发阶段,预计将于明年量产,但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示:“我们的第六代 V-NAND 采用单堆叠技术最多可具有 128 层,采用双堆栈技术后,256 层堆叠是可能的。”

 

三星方面还表示,芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。