XHT-950 SiGe高速时钟扇出缓冲器（平替品牌ADI型号ADCLK950）为...
核心卖点SiGe工艺巅峰性能4.8GHz超高工作频率：采用硅锗（SiGe）双极工艺，专为电平转化/无线通信/雷达等超高速场景设计。28fs rms积分随机抖动，相位噪声低至 -148dBc/Hz@1MHz偏移，显著提升系统时序精度。双通道可选差分输入：支持CLK0/CLK1两组输入灵活切换（IN_SEL引脚控制），适应冗余时钟设计需求。全集成终端设计 片上100Ω差分终端电阻：每个输入通道配备中心抽头终端，兼容直流耦合LVPECL/CML/3.3V CMOS及交流耦合LVDS/1.8V CMOS输入。10路全摆幅LVPECL输出：每路驱动能力达800mV（50Ω负载至VCC-2V），总差分摆幅1.6V，支持长距离传输。 工业级可靠性 宽温工作（-55°C至+125°C），40引脚LFCSP封装，外露焊盘（EPAD）直连VEE电源平面。 典型应用场景 低抖动时钟分配时钟和数据信号恢复电平转换无线通信 设计支持与资源 免费提供：全差分端接方案（含戴维南终端、Y型端接等参考设计图）高速PCB布局指南（重点涵盖电源旁路、传输线匹配、ESD防护等）一键获取：访问新弘途科技官网下载完整数据手册，或申请XHT-950A/B评估板。
技术讨论热点欢迎工程师同行探讨： SiGe工艺在超高频时钟芯片中的优势边界多通道输出间的抖动一致性优化方案工业环境下的时钟冗余设计实践 立即行动访问官网www.xinhongtutech.com下载完整数据手册，或直接联系销售团队定制解决方案！ 立即联系我们：获取样品及完整解决方案！手机联系人：刘经理：13922811431电话联系人：刘经理：0755-86713430 注：本文内容基于深圳市新弘途科技有限公司发布的《XHT-950产品资料.pdf》编写，技术参数以官方文件为准。
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