CXLD64421 3A大电流LDO | 低至1V输入 | 350mV压降@3A | PG指示
CXLD64421 3A大电流低压差线性稳压器型号：CXLD64421封装：WDFN-10L（3×3mm）/ SOP-8（Exposed Pad）
版本：Rev 1.0产品概述CXLD64421 是一款高性能正电压线性稳压器，采用外部偏置供电（VDD）架构，专为需要极低输入电压和极低压差的大电流应用设计，输出电流高达 3A。输入电压（VIN）可低至 1V，VDD范围为 3V至5.5V，输出电压可通过外部反馈电阻在 0.8V至VIN 范围内任意编程，同时提供多种固定输出电压选项。在3A负载下压降仅 350mV（典型值），非常适合VOUT非常接近VIN的应用场景。芯片集成 使能控制（EN），关断时功耗极低； PG（Power Good）开漏输出 指示输出电压状态，便于系统时序控制。集成 折返式过流保护（短路时电流限制至1.4A）和 过温保护，确保在故障条件下安全运行。提供 WDFN-10L（3×3mm） 和 SOP-8（Exposed Pad） 两种封装。主要特点
功能模块关键参数
输出电流3A
输入电压（VIN）1V ~ 5.5V
偏置电压（VDD）3V ~ 5.5V
输出电压可调 0.8V ~ VIN / 固定多种可选
压降电压350mV @ 3A（典型值）
输出电压精度±1.5%（参考电压）
PG指示开漏输出，90%阈值
折返式过流保护正常3.6A，短路1.4A
放电电阻150Ω（关断时）
工作温度-40°C ~ +125°C
封装WDFN-10L（3×3mm）/ SOP-8（Exposed Pad）
典型应用电路
[*]输入电容（CIN）：10μF陶瓷
[*]输出电容（COUT）：10μF陶瓷
[*]VDD去耦电容（CVDD）：1μF
[*]反馈电阻分压（R1/R2）设定输出电压（可调版本）
[*]PG引脚外接上拉电阻（100kΩ至VOUT或VDD）
VIN接输入电源（1V~5.5V），VDD接偏置电源（3V~5.5V），EN接使能信号（高电平使能）。固定版本无需外部反馈电阻。极限参数（Absolute Maximum Ratings）
参数最小值最大值单位
VIN（DC）-0.36V
VIN（<10ms）-0.37V
VDD（DC）-0.36V
VDD（<10ms）-0.27V
VOUT, EN, ADJ, PG-0.36V
功耗（WDFN-10L，EVB）—2.67W
功耗（SOP-8 EP，EVB）—2.84W
θJA（WDFN-10L，JEDEC）—55°C/W
θJA（SOP-8 EP，JEDEC）—47°C/W
结温范围-40150°C
存储温度-65150°C
ESD（HBM）—2kV
推荐工作条件
参数最小值最大值单位
VIN 输入电压1.05.5V
VDD 偏置电压3.05.5V
VOUT 输出电压0.8VINV
环境温度-4085°C
结温-40125°C
关键电气特性（典型值，VDD=5V，TA=25°C）
参数条件典型值单位
VIN 工作范围—1.0 ~ 5.5V
VDD 工作范围—3.0 ~ 5.5V
VDD POR 阈值（上升）—2.7V
VIN POR 阈值（上升）—0.8V
参考电压（可调版本）—0.800V
参考电压精度—±1.5%
静态电流IOUT=0A0.6mA
压降电压IOUT=3A350mV
负载调整率1mA~3A0.5%
线调整率VIN变化0.2%
电流限制VIN=3.6V3.6A
短路电流（折返）VOUT<0.2V1.4A
放电电阻EN=0V150Ω
EN高电平阈值—1.2V
EN低电平阈值—0.4V
PG 高阈值（相对VOUT）—90%
PG 输出低电平—0.3V
OTP触发温度—160°C
OTP迟滞—70°C
工作原理外部偏置供电架构CXLD64421 采用 外部偏置供电（VDD）驱动N沟道传输管 的架构。传统LDO使用P沟道传输管，当输入电压（VIN）接近输出电压（VOUT）时，栅极驱动不足导致压差增大。本芯片使用N沟道传输管，其栅极由外部VDD（3V~5.5V）驱动，即使VIN低至1V，传输管仍能完全导通，实现 超低压差 调节（350mV@3A）。这种架构特别适合从低压电源轨产生同样低压输出的高电流应用。输出电压设定可调版本：通过ADJ引脚外接反馈电阻设定输出电压，内部基准电压为0.8V。
VOUT = 0.8V × (1 + R1/R2)
其中R1连接VOUT至ADJ，R2连接ADJ至GND。建议R1和R2取值 > 10kΩ。固定版本：内部集成了高精度电阻分压网络，提供1.5V、1.8V、2.5V等多种固定输出电压选项。PG（Power Good）指示PG开漏输出指示输出电压状态。当输出电压达到额定值的90%时，PG输出高阻（需外接上拉电阻）；当输出电压低于阈值或芯片处于关断/保护状态时，PG拉低。建议使用100kΩ上拉电阻至VOUT或VDD。使能与关断EN引脚为高电平（>1.2V）时芯片使能；低电平（<0.4V）时进入关断模式。关断时输出通过内部150Ω放电电阻快速泄放。EN引脚内部有下拉电阻，悬空时芯片默认关断。建议在VIN稳定后再施加EN高电平，以确保正确的软启动时序。保护机制
[*]折返式过流保护：正常工作时限流约3.6A（典型值）；当输出短路（VOUT<0.2V）时，电流限制降至1.4A（典型值），降低短路功耗。输出可长时间短路而不会损坏。
[*]过温保护：结温超过160°C时关断输出，温度下降约70°C后自动恢复。
[*]VIN/VDD POR：VIN和VDD均有上电复位（POR）功能，确保在电压足够时芯片才启动。
设计实例（笔记本电脑GPU核心供电）设计目标：笔记本电脑GPU核心需要1.2V/2.5A供电，输入来自系统1.8V电源轨，VDD来自系统5V电源，要求低噪声、高精度、快速瞬态响应。配置方案：
元件参数
型号CXLD64421（可调版本）
VIN1.8V
VDD5V
VOUT1.2V
R210kΩ
R15kΩ
CIN10μF陶瓷
COUT10μF陶瓷
CVDD1μF陶瓷
PG上拉100kΩ至VOUT
功耗计算：PD = (1.8-1.2)V × 2.5A = 1.5W。WDFN-10L封装θJA(EVB)=37.4°C/W，温升≈56°C，在85°C环境温度下结温≈141°C，需注意散热（增加铜箔面积或使用SOP-8封装）。PCB布局建议
[*]功率回路最小化：VIN、VOUT和GND为大电流路径（最高3A），走线应宽短，减小压降和寄生电感。
[*]输入/输出电容就近放置：CIN（≥10μF）和COUT（≥10μF）应尽可能靠近VIN/VOUT和GND引脚，走线短、宽。输入电容必须放置在距离器件输入引脚0.5英寸以内。
[*]VDD去耦电容：CVDD（1μF）靠近VDD引脚放置，滤除偏置电源噪声。
[*]反馈电阻靠近ADJ：R1/R2紧靠ADJ引脚放置，ADJ走线尽量短，避免噪声耦合。
[*]PG上拉：PG为开漏输出，需外接上拉电阻（建议100kΩ）至VOUT或VDD。
[*]地线设计：Exposed Pad必须焊接至大面积地平面，并通过多个过孔连接至内层地铜箔，以增强散热和降低地阻抗。
[*]散热考虑：WDFN-10L封装最大功耗2.67W；SOP-8 EP封装最大功耗2.84W（TA=25°C）。在3A大电流应用中，建议使用SOP-8封装并增加铜箔面积，确保结温不超过125°C。
封装信息WDFN-10L（3×3mm）
[*]引脚间距：0.5mm
[*]底部散热焊盘
SOP-8（Exposed Pad）
[*]引脚间距：1.27mm
[*]底部散热焊盘
[*]无铅、RoHS合规
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